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國營事業◆1.計算機概論 2.電子學
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105年 - 105 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(乙):2.電子學#71776
> 試題詳解
36. 在積體電路中,NMOS的基體
端應如何接?
(A)接至電流源
(B)接至汲極(Drain)
(C)接至源極(Source)
(D)接至最低電壓
答案:
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統計:
A(3), B(9), C(6), D(14), E(0) #1537233
詳解 (共 2 筆)
hchungw
B2 · 2021/11/04
#5193412
在積體電路中,NMOS的基體
端應
接至最低電壓
2
0
李哲政
B1 · 2020/10/07
#4303068
在積體電路設計之layout中,所有MO...
(共 68 字,隱藏中)
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2
0
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37. 使一個npn 型電晶體操作在vBE =670 mV, IC= 2 mA,其iC對vCE的特性有一斜率為2 x10-5U ,當電晶體操作在IC= 10 mA時,其輸出阻抗值為多少? (A) 40 kΩ (B) 30 kΩ (C) 20 kΩ (D) 10 kΩ
#1537234
38. 對一 BJT 電晶體操作在IB= 5 mA時,在IC=10 mA下,其對應的VCEsat= 140 mV,且 IC= 20 mA時,其對應的VCEsat= 180 mV,求其飽和區的RCEsat 電阻值為多少? (A) 2 Ω (B) 3 Ω (C) 4 Ω (D) 5 Ω
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39. 如右圖之電路,已知此CMOS反向器電路的V 0.8 V,V -0.8 V VDD =5V 且K K ,假設vO1 0.5 V時,請問vI的電壓值為多少? (A) 1.55 V (B) 2.06 V I O2 (C) 2.86 V N1 N2 (D) 3.75 V
#1537236
40. 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益Ao= 100 dB,當頻率f =104 Hz時,其開路增益的 大小為40 dB,請問此放大器之單位增益頻寬(unit gain bandwidth)值約為多少? (A) 104 Hz (B) 105 Hz (C) 106 Hz (D) 107 Hz
#1537237
41. 如右圖的一組並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路,電 VDD 晶體參數g g 6 mA⁄V,忽略爾利效應(Early Effect) 及基體效應(Body Effect),電阻RS= RD=10 k Ω及RF =90 k Ω ,求電流放大倍數為多少? (A) -6.9 (B) -9.9 IS (C) -12.9 (D) -15.9 F RS
#1537238
42. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT,下列敘述何者正確? (A)降低基體(Substrate)的濃度(NA) (B)降低源極(Source)區域的濃度(ND) (C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND) (D)降低閘極(Gate)區域的 :矽氧化層的permittivity; :矽氧化層厚度)
#1537239
43. 對一npn型的BJT所組成的共基極(Common Base)放大器,下列敘述何者有誤? (A)輸入阻抗Ri= re (很小) (B)高頻響應比共射極(Common Emitter)放大器差 (C)電流增益(D)電壓增益變化的影響小
#1537240
44. 對一PN二極體施加逆向偏壓,有關逆向飽和電流IS的敘述何者有誤? (A)逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流IS (約10 -15A) (B) IS由少數載子數量控制 (C)溫度越高,IS會上升 (D) Junction面積增加會使IS下降 .
#1537241
45. 下列有關MOS電流鏡和BJT電流鏡的比較何者有誤? (A) MOS電流鏡無β效應(有限β值效應) (B)通常MOS電流鏡的來的大 (C) MOS電流鏡rO 的影響比BJT電流鏡小(有限 rO 值效應) (D) Wilson電流鏡的電路可降低BJT電流鏡β值有限效應及增加輸出電阻值
#1537242
46. 如右圖的電晶體放大電路,,求小信號電壓放 大增益值vo/vi 為多少?(C1、C2 及CS 可視為短路) (A) -5.7 (B) -10.7 (C) -20.7 (D) -30.7
#1537243
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