38.如【圖 38】所示，方波的波峰因數(crest factor, CF)為何？

(A) 0.273
(B) 0.333
(C) 0.500
(D) 1.00

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39.由放大器輸出一組訊號 v(t) = 25+100sin(105 t) mV 經電容器後、連接到下一級放大器，作為下一級放大器的輸入訊號，則下列敘述何者正確？ (A)經電容器後的訊號為 v(t) = 25+100sin(105 t) mV (B)經電容器後的訊號為 v(t) = 100sin(10 5 t) mV (C)經電容器後的訊號為 v(t) = 25 mV (D)電容器主要的功用是要穩定訊號電壓

40.如【圖 40】所示，截波電路的輸入電壓為 vi(t) = 15sin(100t) mV，非理想稽納二極體的順向導通電壓均為 0.7 V；而崩潰電壓分別為 ZD1 = 4 V，ZD2 = 7 V，則輸出電壓 vo(t)的上下限分別為何？(A)輸出電壓正半週的上限為 +7 V；負半週上限為 +4 V(B)輸出電壓正半週的上限為 +7 V；負半週上限為 – 4 V(C)輸出電壓正半週的上限為 – 7.7 V；負半週上限為 – 4.7 V(D)輸出電壓正半週的上限為 +7.7 V；負半週上限為 – 4.7 V

41.如【圖 41】所示，由理想二極體所組成的電路中，假設 V1 = 2 V，V2 = 4 V，則流過 20 Ω 電阻的電流為何？(A) 0.3 A (B) 0.4 A (C) 0.7 A (D) 1.0 A

42.如【圖 42】所示的電路中，稽納二極體的崩潰電壓為 9 V，則輸出電壓 Vo 為何？(A) 9 V (B) 12 V (C) 15 V (D) 20 V

43.在半導體材料中，自由電子與電洞都是屬於導電的載體，但是在材料內的移動速度，下列敘述何者正確？(A)自由電子的移動速度比電洞的移動速度慢 (B)自由電子的移動速度比電洞的移動速度快(C)自由電子的移動速度和電洞的移動速度一樣 (D)這是假設性題目，真實世界中沒有電洞存在，所以無法判斷

44.已知由矽為主要材料的 NPN 電晶體，其 BE 接面與 BC 接面的障壁電壓分別為 VBE = 0.7 V、VBC = 0.5 V；則當測量到各接腳的電壓分別為(射極 2.4 V)、(基極 3.4 V)、(集極 2.7 V)則該電晶體處於何種工作模式？ (A)截止區模式 (B)線性放大模式 (C)飽和模式 (D)主動區域模式

45.電晶體材料中負責導電的電荷載體主要為何？(A) P 型電晶體材料中，電子為多數載體；電洞為少數載體(B) N 型電晶體材料中，電子為多數載體；電洞為少數載體(C) P 型電晶體材料中，只有電洞為多數載體；沒有電子(D) N 型電晶體材料中，只有電子為載體；沒有電洞

46.典型的 CMOS 電晶體結構，主要是由何種型態的電晶體所構成？(A)一個 PMOS 和一個 NMOS 所構成；其柵極(Gate)接在一起(B)兩個 PMOS 所構成；其柵極(Gate)接在一起(C)兩個 NMOS 所構成；其柵極(Gate)接在一起(D)事實上，CMOS 是達靈頓電路的另一種名稱

47.如【圖 47】所示，由電阻、二極體及電壓源所構成的電路中，Vm = 9 V，V1 = 3 V，V2 = 5 V，則有關輸出電壓的敘述，下列何者正確？ (A)輸出電壓正半週的最大值為 +3 V；負半週最大值為 +5 V (B)輸出電壓正半週的最大值為 -3 V；負半週最大值為 +5 V (C)輸出電壓正半週的最大值為 -5 V；負半週最大值為 +3 V (D)輸出電壓正半週的最大值為 +3 V；負半週最大值為 -5 V

48.如【圖 48】所示為電子電路中用來消除傳導電磁干擾的電路結構，圖中 A、B、C、D 四個元件的性質為何？(A) A 與 B 是電容器；C 與 D 是電感器 (B) A 與 C 是電容器；B 與 D 是電感器(C) A 與 C 是電感器；B 與 D 是電容器 (D) A 與 B 是電感器；C 與 D 是電容器

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