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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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102年 - 102 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群資電類_專業科目(一):電子學、基本電學#17964
> 試題詳解
41.增強型 MOSFET 的結構因素會造成臨界電壓 VT值的變化,請問以下何者對其影響最 大?
(A)金屬導電層厚度
(B)半導體層的厚度
(C)二氧化矽的厚度
(D)金屬導電層 的材質
答案:
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統計:
A(10), B(8), C(47), D(17), E(0) #663045
詳解 (共 1 筆)
Wu_2383
B1 · 2020/01/21
#3747635
二氧化矽的厚度
(共 12 字,隱藏中)
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42.如圖(十九)所示電路,已知 MOSFET 的臨界電壓 VT=3V,則電壓 VDS 為多少? (A)0V (B)4V (C)8V (D)12V 12V
#663046
43.如圖(二十)所示之場效電晶體(JFET)共源極放大電路,若 JFET 之轉移電導 gm =2(mA/V),輸出電阻 rd=40kΩ,則放大電路的電流增益 Ai=(io/ii)為多少? (A) -200 (B)-250 (C)-400 (D)-500
#663047
44.如圖(二十一)所示之場效電晶體(JFET)放大器電路,若 JFET 之輸出電阻 rd>> RD,其中 rd 可忽略,轉移電導 gm=6(mA/V),則放大器電路的電壓增益 Av=(Vo/ Vi)與下列何者最接近? (A)-3 (B)-5 (C)-7 (D)-10
#663048
45.一差動放大器,其兩輸入電壓分別為 Vi1=55μV,Vi2=45μV,共模拒斥比 CMRR(dB) =40dB,差模增益為 Ad=500,則下列何者正確? (A)共模增益 Ac=10 (B)差模輸入 電壓 Vd=5μV (C)共模輸入電壓 Vc=100μV (D)輸出電壓 Vo=5.25mV
#663049
46.如圖(二十二)所示運算放大器電路,若要設計為非反相加法器使得 Vo=V1+V2+ V3,則電阻 Rf 應為多少歐姆? (A)5kΩ (B)10kΩ (C)20kΩ (D)30kΩ
#663050
47.如圖(二十三)所示之理想運算放大器電路,其中電容 C=0.5μF,假設初始的電容電選擇建功‧14‧尊榮一生 壓為零,電阻 R=200kΩ,若輸入電壓 Vi(t)=1V,當開關 SW 在 t=0 時關上,則在 經過 2 秒後,其輸出電壓 Vo(t)應為多少? (A)20V (B)15V (C)–15V (D)–20V
#663051
48.高頻 LC 振盪器的方塊圖如圖(二十四)所示,請問下列敘述何者正確? (A)當 X1 與 X2 為電容器,X3 為電感器時,此電路稱為哈特萊(Hartley)振盪器 (B)當 X1 與 X3 為電容器,X2 為電感器時,此電路稱為哈特萊(Hartley)振盪器 (C)當 X1 與 X2 為電容 器,X3 為電感器時,此電路稱為考畢子(Colpitts)振盪器 (D)當 X1 與 X3 為電容器, X2 為電感器時,此電路稱為考畢子(Colpitts)振盪器
#663052
49.如圖(二十五)所示之施密特(Schmitt)觸發電路,若已知電源電壓 VCC=13V,輸 出之正飽和電壓+Vsat=12V,負飽和電壓-Vsat=-12V,Vr=3V,則各臨界電壓值,下 列何者正確? (A)上臨界電壓 VU=4.5V (B)上臨界電壓 VU=12V (C)下臨界電壓 VL =3V (D)下臨界電壓 VL=1/3V
#663053
50.如圖(二十六)所示為 555 定時 IC 之多諧振盪器,當按下彈跳開關 SW 後,輸出端 需要經過時間 td 後,才能恢復為原先的穩定狀態,據此下列敘述何者正確? (A)此電路 為單穩態多諧振盪器 (B)當電路在穩態時,其輸出電壓為 VCC (C)td≒0.55ms (D)td≒ 1.1ms
#663054
1. 依腹盆腔九分法區分,下列哪一器官位於左季肋區(left hypochondriac region )? (A) 膽囊 (B) 闌尾 (C) 胰臟尾部 (D) 乙狀結腸
#663055
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