試卷名稱：112年 - 112 台灣電力公司_大學及研究所獎學金甄選試題_電驛：電路學及電子學#129470
年份：112年
科目：1.電路學 2.電子學
41.增強型 MOSFET 的結構因素會造成臨界電壓 VT 值的變化，下列何者對其影響最大？ (A) 金屬導電層厚度 (B) 半導體層的厚度 (C) 二氧化矽的厚度 (D) 金屬導電層的材質
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