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試題詳解

試卷:112年 - 112 台灣電力公司_大學及研究所獎學金甄選試題_電驛:電路學及電子學#129470 | 科目:1.電路學 2.電子學

試卷資訊

試卷名稱:112年 - 112 台灣電力公司_大學及研究所獎學金甄選試題_電驛:電路學及電子學#129470

年份:112年

科目:1.電路學 2.電子學

42.下列有關 BJT 與 MOSFET 之比較,何者有誤?
(A) 相同直流偏壓電源下,BJT 有較高的互導值(gm)
(B) MOSFET 有較大的輸入阻抗
(C) BJT 比 MOSFET 更適合作為開關使用
(D) BJT 有較大的頻寬

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