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103年 - 103 中華電信股份有限公司所屬機構從業人員(基層專員)遴選試題_資訊類專業職(三)專員:(1)計算機概論 (2)電子學#122472
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46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) VP為−5 V,當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、 且 VGS為一固定值−1 V 時,下列汲-源極電壓,何者可以產生最大的 ID?
(A) 4 V
(B) 3 V
(C) 2 V
(D) 1 V
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統計:
A(3), B(1), C(2), D(0), E(0) #3307268
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2025/10/13
#6888364
題目解析 本題涉及 N 型 JFET(...
(共 1369 字,隱藏中)
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46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) VP為−5 V,當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、 且 VGS為一固定值−1 V 時,下列汲-源極電壓,何者可以產生最大的 ID? (A) 4 V (B) 3 V (C) 2 V (D) 1 V
#1648060
46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) VP為−5 V,當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、 且 VGS為一固定值−1 V 時,下列汲-源極電壓,何者可以產生最大的 ID? (A) 4 V (B) 3 V (C) 2 V (D) 1 V
#2410243
46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) VP為−5 V,當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、 且 VGS為一固定值−1 V 時,下列汲-源極電壓,何者可以產生最大的 ID? (A) 4 V (B) 3 V (C) 2 V (D) 1 V
#2553021
46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) 為−5 V,當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、 且為一固定值−1 V 時,下列汲-源極電壓,何者可以產生最大的? (A) 4 V (B) 3 V (C) 2 V (D) 1 V
#2552654
47.如【圖 47】所示的 JFET 電路,IDSS = 12 mA 且 VP = −3 V,請問下列 RD值何者可以使該 JFET 操作於夾止區? (A) 0.9 kΩ (B) 1.1 kΩ (C) 1.3 kΩ (D) 1.5 kΩ
#3307269
48.有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述,下列何者錯誤? (A)閘極與半導體通道之間是絕緣的 (B)輸入阻抗非常低 (C)汲極與源極各自連接較高摻雜濃度的半導體材料 (D)空乏型(depletion type) MOSFET 的操作與 JFET 類似
#3307270
49.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V,當 VGS = 1 V、VDS = 4 V 時,ID值為何? (A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA
#3307271
50.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V,當 VDS = 4 V 時,則 VGS = 1 V 與−1 V 的 ID比值為何? (A) 1 : 1 (B) 16 : 9 (C) 16 : 4 (D) 16 : 1
#3307272
51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) VT = 1 V,且在 VGS = 4 V 時的飽和汲極電流為 9 mA,則 VGS = 3 V 時的 ID為何? (A) 0 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA
#3307273
52.如【圖 52】所示電路,下列敘述何者錯誤?(A)此 NMOSFET 永遠操作於三極區 (B)當 V 小於 VT時,此電路視同開路 (C)此電路經常取代電阻作為負載使用 (D)其小信號等效電阻與直流偏壓電流的平方根成反比
#3307274
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