53 增強型金氧半場效型電晶體(MOSFET)偏壓電路如【圖 53】,已知電晶體的參數 K=0.5 2 mA /V2 ,臨界電壓(threshold viltage)Vt=2V、VDS=4V,則此 RD 為: (A)1kΩ (B)2kΩ (C)3kΩ (D)4kΩ
53 增強型金氧半場效型電晶體(MOSFET)偏壓電路如【圖 53】,已知電晶體..-阿摩線上測驗