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初等/五等/佐級◆電子學大意題庫下載題庫

上一題
6 對n通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）與p通道金氧半場效電晶體（P-MOSFET）之臨界電壓（ threshold voltage）Vt的敘述，下列何者正確？
(A)常閉（normally off）NMOS之Vt＞0，而常通（normally on）PMOS之Vt＜0
(B)常通NMOS之Vt＞0，而常通PMOS之Vt＜0
(C)常閉PMOS之Vt＞0，而常通PMOS之Vt＜0
(D)常閉NMOS之Vt＞0，而常通PMOS之Vt＞0

答案：D
難度： 適中
1F
waynegod96208 小五上 (2016/11/30)

n通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET），請問這題的金氧半場效電晶體是空乏型還是增強型?


2F
我只是略懂 大一下 (2016/12/01)

一般題目未言明是空乏

常閉指的是空乏 常通是增強(請見維基百科) 所以應該BC都對 反而是D錯


6 對n通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）與p通道金氧半場效電晶體（P-M..-阿摩線上測驗