五、如圖四所示一電路由三個半橋組成，每個半橋由高壓側之PMOS其=2V與低壓側之NMOS其=2V組成，忽略各MOSFET的寄生電容，三個輸入v1、v2、v3個別具有0V、1.65V、3.3V三種離散（discrete） 狀態。
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=2V與低壓側之NMOS其
=2V組成，忽略各MOSFET的寄生電容，三個輸入v1、v2、v3個別具有0V、1.65V、3.3V三種離散（discrete） 狀態。