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106年 - 106 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組):半導體概論#108990
> 申論題
題組內容
3. Answer the following questions about an n-p-n transistor.
(b) For each of the modes that you write, draw the minority carrier concentration profiles in emitter, base, and collector regions of the transistor. (10%,10%)
相關申論題
(a) Calculate the steady-state electron density.
#467099
(b) Calculate the change in conductivity due to the illumination. The electron and hole mobilities are μn =8500 cm2/V-s and μp , = 400 cm2/V-s, respectively. (10%,10%)
#467100
5. For an abrupt p+-n silicon diode, the doping concentration in the n-region is. The width of the n-region is 3 um. Assuming this width is much smaller than the hole diffusion length. Calculate the reverse saturation current at 300 K. The area of the diode is 100μm ✖ 100μm and the hole mobility is 350 cm2/V-s. (20%)
#467101
(a)(20%) Draw the ac equivalent circuit. Deternine the frequency (in rad/s) at which the amplifier achieves the peak gain, and determine this maximum gain.
#467102
(b) (10%) Find the bandwidth of the amplifier (in rad/s). Note:for Q in saturation.
#467103
2. (20%) Use the Barkhausen criterion to determine the values of R and C so that the Wien-bridge circuit in Fig. 2 oscillates at 100 kHz.
#467104
(a) (20%) Determine the values of R and C in Fig. 3 so that the average power dissipation on resistor R is maximized.
#467105
(b) (10%) Calculate this maximum power.
#467106
4. (20%) An emitter follower in Fig. 4 is used to drive a very high impedance. Ci forms a high-pass filter with the divider resistances and the resistance looking into the base. Choose the value of C1 so that the resulting cutoff frequency is 1 KHz.
#467107
李老先生 76 歲,身高:163cm,體重:75kg 藥物過敏史:無 診斷:阿茲海默氏症、高血壓、心衰竭、糖尿病 影響用藥之議題:鼻胃管灌食(NG-feeding), 平日另補充銀杏食品養身。 目前疾病狀況:此次因呼吸困難及下肢水腫到急診室,因無法自行排尿故使用導尿管。 另外出現情緒不穩定、無法言語及不認識家屬等情況,經一天觀察後今天由醫院出院回 到護理之家。 就醫前無例行性的檢驗監測數據可供參考。此次就醫所測的檢驗數值: BP:148/102 mmHg,SCr = 1.8 mg/dL,AST/ALT = 51/48,K+ = 6.3 mEq/l,HAb1c = 7.5。 請依據上述病人資料,填寫下列醫師處方的適應症及疑似藥物治療問題(每格 1 分)
#467108
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