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101年 - 101 地方政府特種考試_四等_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#44563
> 申論題
題組內容
三、圖(三)所示為一運算放大器電路,若輸入電壓為V
I1
及V
I2
,輸出電壓為V
o
,試求
⑴V
o
值與V
I1
及V
I2
之關係方程式,
相關申論題
⑴小訊號等效電路(20 分)
#147136
及⑵電壓增益 值。
#149364
五、⑴試繪 CMOS 反相器電路圖並說明其功能(5 分)
#147137
⑵試說明 C 級放大器特性(5 分)
#147138
⑶試說明 NAND Gates 特性(5 分)
#147139
⑷試說明 R-S 正反器特性(5 分)
#147140
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
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