題組內容
三、
⑴在離子佈植過程中,由於高能離子撞擊進入半導體晶片內部,造成半導體晶格 (lattice)受到損傷(damage),通常我們會將離子佈植後的半導體晶片進行熱 處理。請說明使用快速熱處理(Rapid thermal processing)方式優於一般傳統的加 熱爐方式之原因為何?(10 分)
詳解 (共 1 筆)
詳解
時間較短,使摻雜擴散不易往四周擴散