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107年 - 107 專技高考_電子工程技師:電子學#72993
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題組內容
一、使用理想運算放大器(Ideal-operational amplifier)設計一反相微分器 (Inverting differentiator),其中一輸入電容(C)為 0.01(μF)且微分時間 常數為 10(ms)。同時當角頻率(w)為 10(rad/s)時,請繪出此微分器、 並計算電路之:
⑵當高頻增益大小限制為 100 時,試計算串接於電容上之所需電阻值。 (10 分)
相關申論題
⑴增益大小及相位角值。(10 分)
#297312
⑴在忽略厄立效應(Early effect)下,其基極(VB)、射極(VE)與汲極 (VC)之直流電壓值。(10 分)
#297314
⑵在小訊號模型下,其轉導(gm)、輸入電阻(rπ)與輸出電阻(ro)值。 (10 分)
#297315
三、⑴已知一 p 通道場效電晶體(JFET),其自給偏壓(假設 VGS= 5 V)之 電路參數為:IDSS = 25 mA 且 VGS(off)= 15 V、VGS= 5 V,試求其源極 電阻(RS)值。(10 分)
#297316
⑵已知一 n 通道增強型金氧半場效電晶體(E-MOSFET),其電路參數 為:VTN = 1.5 V 和 Kn = 0.25 mA/V2 。當 VGS=5 V、VDS=2.5 V,試計算 其汲極電流(ID)值。(10 分)
#297317
四、考慮如圖 2 之金氧半電晶體(NMOS)電路(忽略通道長度調變效應, 即λ = 0),其電路參數:VDD = -VSS = 2.5 V、Vt= 1 V、μn Cox = 60 μA/V2 、 W/L = 120 μm/ 3 μm。為使電晶體操作在 ID = 0.3 mA、VD = +0.4 V 時, 試計算所需 RD及 RS之電阻值。(20 分)
#297318
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
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