二、設一增強型 n-通道金氧半場效電晶體（NMOS transistor），已知其 、 W =400 μm、 L =10 μm 、 V t = 1.2 V 以 及 λ = 0.01 V -1 ，分別試求其操作於偏壓電壓 VGS = 2V下之 gm 與 ro值，以及 於偏壓電流 值。（25 分）
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、 W =400 μm、 L =10 μm 、 V t = 1.2 V 以 及 λ = 0.01 V -1 ，分別試求其操作於偏壓電壓 VGS = 2V下之 gm 與 ro值，以及 於偏壓電流 
值。（25 分）