所屬科目：電子學（包括電力電子學）
一、設 一 矽 二 極 體 pn 接面之摻雜濃度與摻雜濃度 且本質濃度 ，試求於T= 300 K 時之內建 電壓V0、空乏區寬度Wdep與空乏區在 p 側及 n 側之延伸寬度。（25 分）
二、設一增強型 n-通道金氧半場效電晶體（NMOS transistor），已知其 、 W =400 μm、 L =10 μm 、 V t = 1.2 V 以 及 λ = 0.01 V -1 ，分別試求其操作於偏壓電壓 VGS = 2V下之 gm 與 ro值，以及 於偏壓電流 值。（25 分）
三、設一切換頻率為25 kHz之降升壓型轉換器（buck-boost converter），其輸 入電壓V 15 V d = 、電感器之感值L 40 H = μ ，且令輸出電容器之容值甚 大，試求得使輸出電壓調節於 且供應負載功率 之對應 開關導通率（duty ratio）與導通模式。（25 分）
四、設一邱克轉換器（Cúk converter）示如下圖，已知其中 、 ，令電晶體導通 率（duty ratio）為D= 0.2 、切換頻率為20 kHz、負載平均電流為 2 A， 試求C1與C2上電壓漣波之峰對峰值 C1 Δv 與 C2 Δv ，以及電晶體開關元件上 之峰值電流 Ip。（25 分）
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與摻雜濃度
且本質濃度 
，試求於T= 300 K 時之內建 電壓V0、空乏區寬度Wdep與空乏區在 p 側及 n 側之延伸寬度。（25 分） 
、 W =400 μm、 L =10 μm 、 V t = 1.2 V 以 及 λ = 0.01 V -1 ，分別試求其操作於偏壓電壓 VGS = 2V下之 gm 與 ro值，以及 於偏壓電流 
值。（25 分）
且供應負載功率
之對應 開關導通率（duty ratio）與導通模式。（25 分） 
、 
，令電晶體導通 率（duty ratio）為D= 0.2 、切換頻率為20 kHz、負載平均電流為 2 A， 試求C1與C2上電壓漣波之峰對峰值 C1 Δv 與 C2 Δv ，以及電晶體開關元件上 之峰值電流 Ip。（25 分）