所屬科目：電子學（包括電力電子學）
一、如圖一所示雙極性接面電晶體（BJT）電路，其中、，其順向電流增益（forward current gain, ）介於 8 至 40 之間，試求使電晶體進入飽和時具過載係數 （overdrive factor, ODF）為 6 之值，以及電晶體上之總功率損耗值。 （25 分）
二、如圖二所示昇壓型轉換器（boost converter）電路，其中輸入電壓 =15 V 、平均輸出電壓= 30 V 、平均輸出電流= 3 A、切換頻率 f = 25 kHz、電感值L =100 μH 、電容值C = 200μF ，試求對應之開關導通率D、電感器上漣波電流值 、電感器上峰值電流 、電容器 上漣波電壓值，以及電感器與輸出電容器之臨界值Lc與Cc。（25 分）
三、如圖三所示返馳式轉換器（flyback converter）電路，其中變壓器匝數比、電阻性負載=0.8Ω、平均輸出電壓Vo = 24 V、二極體 D1之導通壓降（on-state voltage drop）為=0.7 V、電晶體Q1之導通壓降、切換頻率與導通率（duty ratio）分別為=1.2 V、 f =1.5 kHz 與 D = 0.75，設變壓器損耗及負載電流漣波均可忽略，試求電晶體Q1上之平均電流與峰值電流 ，以及初級側激磁電感 L p 與電路轉換效率。（25 分）
四、一 增 強 型 n- 通 道 金 氧 半 場 效 電 晶 體 （ NMOS transistor ）， 於 時，測得其汲極電流= 6 mA，並於=8 V時測得=1.5 mA ，試求其臨界電壓（threshold voltage）值與製程參數 （process parameter）β 值，其中為製程互導參數、 (W / L) 為寬長比。（25 分）
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、
，其順向電流增益（forward current gain, 
）介於 8 至 40 之間，試求使電晶體進入飽和時具過載係數 （overdrive factor, ODF）為 6 之
值，以及電晶體上之總功率損耗
值。 （25 分）
=15 V 、平均輸出電壓
= 30 V 、平均輸出電流
= 3 A、切換頻率 f = 25 kHz、電感值L =100 μH 、電容值C = 200μF ，試求對應之開關導通率D、電感器上漣波電流值
、電感器上峰值電流 
、電容器 上漣波電壓值
，以及電感器與輸出電容器之臨界值Lc與Cc。（25 分）
、電阻性負載
=0.8Ω、平均輸出電壓Vo = 24 V、二極體 D1之導通壓降（on-state voltage drop）為
=0.7 V、電晶體Q1之導通壓降、切換頻率與導通率（duty ratio）分別為
=1.2 V、 f =1.5 kHz 與 D = 0.75，設變壓器損耗及負載電流漣波均可忽略，試求電晶體Q1上之平均電流
與峰值電流
，以及初級側激磁電感 L p 與電路轉換效率
。（25 分）
時，測得其汲極電流
= 6 mA，並於
=8 V時測得
=1.5 mA ，試求其臨界電壓（threshold voltage）
值與製程參數 （process parameter）β 值，其中
為製程互導參數、 (W / L) 為寬長比。（25 分）