申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44432
科目：半導體製程
年份：102年
排序：0

二、

⑶對於 PECVD 製程中，以矽烷作為沉積氧化矽之氣體源，當增加矽烷流量時，氧化矽薄膜之折射率會增加還是減少？原因為何？但若是以 TEOS 作為沉積氧化矽之氣體源，為什麼當 TEOS 流量增加時，折射率幾乎沒有變化？（10 分）