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113年 - 113 高等考試_三級_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#121500
> 申論題
一、如圖一之電路中,假設所有二極體均為理想(Ideal),且當 R
1
為 5 kΩ、 R
2
為 10 kΩ時,試求該電路的 I 和 V 值。(25 分)
相關申論題
二、如圖二之電路中,已知此兩個雙極性接面(BJT)電晶體(Q1及 Q2)之電路:電流增益(β)均為 80、基-射極電壓(VBE(on))均為 0.7 V,試 求:Q1及 Q2中之靜態基極、集極與射極電流值。(25 分)
#517580
三、如圖三之電路參數為:VTN=0.8V 和 k’n=40 μA/V2,以及λ=0。當 ML 之 寬長比(W/L)L=1,若 VI=5V、使得 Vo=0.10 V 時,試求其驅動電晶體之寬 長比[(W/L)D]。(25 分)
#517581
四、如圖四之電路中,假設所有二極體均為理想(Ideal),且當 R1為 1 kΩ,且 vA = +1 V、vB = +2 V、vC = +3 V 時,試求該電路的 I 和 V 值。(25 分)
#517582
6. 已知下圖疊接放大電路之MOSFET參數K₁=K₂=0.5mA/V²,靜態汲極電流ID為0.5mA,則電路之gm為?
#566892
5. 如圖所示電路,Vi=3.77cos377tV,R=100kΩ,C=1μF,電容電壓初值為零,則輸出電壓Vo為?
#566891
4. 如圖所示電路,若運算放大器具理想特性且Vo=12V,試求電流源I1為?
#566890
3. 如圖所示主動式帶通濾波器,其高頻截止頻率為fH,低頻截止頻率為fL,若C₂=5C₁,R₂=4R₁,則fH/fL為?
#566889
2. 如圖所示電路,假設電源電壓VDD=20V,VSS=-20V,且工作點設置於VGS=-1V,VDS=9V,ID=7mA,汲極電阻RD值約為?
#566888
二、填充題1. 如圖所示電路,若電晶體的切入電壓VBE為0.7V且電阻15kΩ消耗150μW,試求該電晶體的β值為________。
#566887
(二) = 5 V , = 0 V 時, =?
#561019
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