申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：109年 - 109 高等考試_三級_醫學工程：醫用電子學#88605
科目：醫用電子學
年份：109年
排序：0

申論題內容

一、考量摻雜砷原子濃度8×10¹⁵ cm^-3的矽半導體材料，其電子移動率（electron mobility）與電洞移動率（hole mobility）分別是1350 cm² /V sec 和480 cm² /V sec；在絕對溫度為300 K，外加電場100 V/cm時，請計算其漂移電流密度（drift current density）之大小。