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半導體元件
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102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:半導體元件#44203
> 申論題
一、計算矽原子之間的最小距離為多少公分(cm)?矽晶格中每立方公分有多少矽原子? 矽晶格常數(lattice constant)a = 5.43Å = 5.43 × 10
−8
cm。(20 分)
相關申論題
二、有一陡接面(abrupt junction)的矽 p-n 二極體,p 型的濃度為 Na = 2 × 1016 cm,n 型 的濃度為 Nd = 1 × 1016 cm−3,在零偏壓 Va = 0 之下,求出p 型區的空乏區寬度xp,n 型 區的空乏區寬度 xn。若 Va = 0.5 V,求出 p 型區的空乏區寬度 xp,n 型區的空乏區寬 度 xn。熱電壓 Vt = kT/q = 0.0259 V,矽的本質濃度 ni = 1.0 × 1010 cm−3,矽的介電係數Si = 11.7 × 8.85 × 10 −14 F/cm。(20 分)
#144924
⑵試繪圖說明 pnp 電晶體的 I-V 特性曲線圖。 (20 分)
#179489
五、⑴試說明如何得到白色光源的固態照明。
#179488
⑵試說明如何以四點探針法(Four-Point Probe)量測半導體特性。 (20 分)
#179487
四、⑴一矽二極體為單一側陡峭接面(One-Side Abrupt Junction),P、N 側之濃度各為 NA =1019cm–3 ,ND =1016cm–3 。試計算空乏層之厚度及在零偏壓下最大的電場 (矽的εr=12,室溫下的本質濃度 ni=1.45×1010/cm3)。
#179486
⑵試說明半導體雷射二極體的發光原理。 (20 分)
#179485
三、⑴試說明一面心立方晶體(Face-Center Cubic)之原子結構,並算出整個晶體空間 原子所佔的空間比例為多少?
#179484
⑵試說明傳統的雙極性接面電晶體(BJT)與異質接面雙極性電晶體(HBT)之相 異處。 (20 分)
#179483
二、⑴若由熱氧化法(Thermal Oxidation)成長二氧化矽(SiO2)之厚度為 100nm, 則矽消耗若干?
#179482
⑵試繪圖說明 D-MOS(Double-Diffused MOS)之結構圖及其應用。 (20 分)
#179481
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