阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體元件
>
101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體元件#44818
> 申論題
三、⑴請說明為什麼高電子遷移率電晶體（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT）元 件會具有比較高的電子遷移率？（10 分）
相關申論題
⑵ 對 於 金 屬 - 半 導 體 場 效 電 晶 體 （ Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor, MESFET）與高電子遷移率電晶體（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT），請 說明它們的通道夾止（Channel Pinch-Off）定義。（10 分）
#149003
四、⑴請說明什麼是熱電子（hot electron）？（10 分）
#149004
⑵請說明什麼是片電阻（sheet resistance）？什麼是特定接觸電阻（specific contact resistance）？並說明它們的單位。（10 分）
#149005
五、⑴以矽材料的 pn 二極體為例，如果對此 pn 二極體施加順向偏壓，內建能障（built- in potential）會隨著施加順向偏壓的增加而減少，如果施加的順向偏壓接近或大於 內建能障的電壓值，此 pn 二極體的內建能障會等於零嗎？請說明原因。（10 分）
#149006
⑵當 pn 二極體工作在逆向偏壓，會得到非常小的逆向飽和電流，約在 nA 至 pA 的 電流值，請說明此逆向飽和電流的產生機制。（10 分）
#149007
⑴Taxon
#149008
⑵Cryptic species
#149009
⑶Domain
#149010
⑷Epithet
#149011
⑸Darwin core
#149012
相關試卷
102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體元件#44203
102年 · #44203
101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體元件#44818
101年 · #44818
99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體元件#46983
99年 · #46983
96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體元件#50536
96年 · #50536
阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入