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99年 - 99 地方政府特種考試_四等_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#46384
> 申論題
三、有一放大器具有開路電壓增益 10 V/V，輸入阻抗R
i
= 4 kΩ，輸出阻抗R
o
= 1 kΩ，當串接 二個這樣的放大器，並用來驅動 1 kΩ的負載時，求此電路之電壓增益v
o
/v
i
（5 分），電 流增益i
o
/i
i
（5 分），以及功率增益p
o
/p
i
。（5 分）若此電路的輸入端接上一內阻為 1 kΩ之電壓源v
s
，則此電路之整體電壓增益v
o
/v
s
為何？（5 分）
相關申論題
一、如 圖 1 所 示 之 米 勒 積 分 器 （ Miller integrator ） ， 試 求 此 電 路 之 頻 率 響 應 函 數 vo(jω)/vi(jω)。（10 分）若RF = 1 MΩ，則R與C的值必須選擇為何？才能使此電路，具 有 20 dB之直流增益，且 3-dB截止頻率（Cutoff frequency）在 100 Hz。（10 分）
#158082
二、如圖 2(a)-(d)所示的電路，假設二極體導通時的順向壓降為 0.7 V，輸入信號vi為一 峯值為 10 V之正弦波，試畫出每個電路的輸出波形vo，並標示出其最大與最小的電 壓值。（20 分）
#158083
五、畫出一個直流電源供應器（從交流電到直流電）的方塊圖，標示每個方塊圖的輸入 與輸出波形，並且說明每個方塊圖的功能。（20 分）
#158086
(二)當 vA = vB = 5 V 時，vO = ?（15 分）
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時，vO = ?（10 分）
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 （ BJT ） 疊 接 放 大 器 （ Cascode Amplifier）電路，電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式（Active Mode） 下。為計算方便，未顯示其偏壓電路，但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下：β1 = β2 =100，VA1 = VA2 = 150 V，VT1 = VT2 = 25 mV， Cπ1 = Cπ2 = 15 pF，Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF，CS1 = CS2 = 0。電路部分，Rsig = 2 kΩ， RL = 4 kΩ，CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。（25 分）
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體（BJT）電路，電晶體 Q 的參數如下： β = 100，ro = ∞，VT = 25mV，如果電晶體 Q 導通，其 VEB = 0.7V。電路 中，RB = 100kΩ，RE = 5kΩ，RL = 2kΩ，CC 是一個耦合電容，其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。（25 分）
#570151
一、有一個理想運算放大器（Operational Amplifier）電路如圖一所示，輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3，輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。（25 分）
#570150
四、有一個串並（Series-Shunt）回授放大器電路如圖三所示，所有電晶體均工作 在飽和區（Saturation Region）。為計算方便，未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體 Q1 與 PMOSFET 電晶體 Q2 的參數如下：g m1 = g m2 = 5 mA/V， ro1 = ro2 = ∞。電路中，RD1 = 10 kΩ，RD2 = 10 kΩ，R1 = 2kΩ，R2 = 18 kΩ。 請計算：電壓增益 vo/vs、輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Rout。（25 分）
#569908
三、圖二為一個 NMOS 場效電晶體（FET）電路，電晶體 Q1、Q2 與 Q3 的參數 如下：所有電晶體的 kn' = μnCox = 500 μA/V2，Vtn = 0.5 V，λ1 =λ2 = λ3 = 0， L1 = L2 = L3 = 0.5 μm，W1 = 2 μm，W2 = W3 = 10 μm。當 IREF = 50 μA 時， R 值為何？IREF = 50 μA 時，同時計算 V1、V2、V3 與 I2。（25 分）
#569907
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