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二、圖二(a)電路 VDD = +5 V，R1 = R2 = 2 kΩ，MN 之臨界電壓 |Vtn| = 3.5 V，製程參數(kn'/2)(W/L) = 2/9 mA/V；MP 之|Vtp| = 2.5 V，(kp'/2)(W/L) = 1/12 mA/V； NMOS 之汲極電流公式如圖二(b)。Vs = 0 V 與+5 V 時，分別求算 IDP、 IDN 以及 Vo 之值。（20 分）