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104年 - 104 專技高考_專利師(選試專業英文及電子學)、專利師(選試專業日文及電子學):電子學#42076
> 申論題
五、兩整數 A、B 分別以連續兩個二進位元 A
1
A
2
與 B
1
B
2
表示。A 與 B 之數值可能為 -1、0、+1,分別以 11、00、01 表示;整數 Y 之數值為 A、B 和之絕對值: Y = │A + B│ , 並 以 標 準 二 進 位 制 Y
1
Y
2
表 示 , Y
1
、 Y
2
為 二 進 位 元 。 以 卡 諾 圖 (Karnaugh Map)分析,並求出 Y
1
、Y
2
以 A
1
、A
2
、B
1
、B
2
之布林函數式。(20 分)
相關申論題
⑴圖三(a)電晶體小信號參數為 g m 與 ro ,推導 Rout 以 g m 、 ro 與 Rs 之表示式。
#131739
⑵圖三(b)之 vi 為輸入小信號,NMOS 小信號參數: g mn = 10 mA/V , ron = 4 kΩ ; PMOS 小信號參數: g mp = 2 mA/V , rop = 6 kΩ 。利用⑴之結果,計算輸出電阻 Ro 。
#131740
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
四、有一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路如圖三所示,所有電晶體均工作 在飽和區(Saturation Region)。為計算方便,未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體 Q1 與 PMOSFET 電晶體 Q2 的參數如下:g m1 = g m2 = 5 mA/V, ro1 = ro2 = ∞。電路中,RD1 = 10 kΩ,RD2 = 10 kΩ,R1 = 2kΩ,R2 = 18 kΩ。 請計算:電壓增益 vo/vs、輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Rout。(25 分)
#569908
三、圖二為一個 NMOS 場效電晶體(FET)電路,電晶體 Q1、Q2 與 Q3 的參數 如下:所有電晶體的 kn' = μnCox = 500 μA/V2,Vtn = 0.5 V,λ1 =λ2 = λ3 = 0, L1 = L2 = L3 = 0.5 μm,W1 = 2 μm,W2 = W3 = 10 μm。當 IREF = 50 μA 時, R 值為何?IREF = 50 μA 時,同時計算 V1、V2、V3 與 I2。(25 分)
#569907
二、請使用 CMOS 電路實現布林函數Y=。(25 分)
#569906
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