四、如圖四所示的空乏型負載 NMOS 反相器，其中
=3V，且電晶體參數為
=100μA/V2 ，
= 0.4 V，
= −0.8 V，
= 6，
= 2。忽略本體效應（body effect）。試求反相器的最大功率消耗、電晶體
及
分別工作於過渡點（transition point）時的輸入電壓
、輸出電壓 
、及 當輸入電壓
= 3V 時的輸出電壓 vo。（25 分）
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四、如圖四所示的空乏型負載 NMOS 反相器，其中=3V，且電晶體參數為=100μA/V2 ， = 0.4 V， = −0.8 V， = 6，= 2。忽略本體效應（body effect）。試求反相器的最大功率消耗、電晶體及分別工作於過渡點（transition point）時的輸入電壓、輸出電壓 、及 當輸入電壓= 3V 時的輸出電壓 vo。（25 分）