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102年 - 102 一般警察特種考試_二等_刑事警察人員電子監察組:電子學#44272
> 申論題
題組內容
五、如圖五所示的差動放大器,電晶體 Q 1 、 Q 2 具相同特性,其 β = 100 , r
o
→ ∞ ; R
C
= 10 kΩ,R
L
= 20 kΩ,R
E
= 200 Ω,I = 1 mA;熱電壓 V
T
= 25 mV。
⑴求差動增益 A
d
= v
od
/v
id
及差動輸入電阻 R
id
之值。(10 分)
相關申論題
⑵若電流源 I 之輸出電阻為 250 kΩ,試繪此 差動放大器的共模半電路,並求此共模半 電路的共模增益。(10 分)
#145317
⑴分別求電晶體 Q1、Q2 的源極直流偏壓電位。(10 分)
#145320
⑵求小信號增益 vo/vin。(10 分)
#145321
⑴求轉換函數 Vo(s)/Vin(s)。(10 分)
#145322
⑵由轉換函數找出極點頻率以及此頻率下的相位移。(5 分)
#145323
⑶請問這是那一種濾波器?(5 分)
#145324
⑴畫出 CMOS 反相器的電路圖,並說明為何靜態功率消耗極低。(10 分)
#145325
⑵說明在雙極性電晶體(BJT)邏輯電路中,射極耦合邏輯(emitter-coupled logic) 操作速度快的原因。(10 分)
#145326
㈠若使用理想之運算放大器,請計算電壓增益 vO / vI ;(10 分)
#145327
三、在純矽半導體中參雜(doping)適量的磷原子(擁有 5 個價電子)之後,請說明會 形成 n 型(n type)或 p 型(p type)半導體?參雜前後自由電子與電洞的數目有何 改變,亦請說明?(10 分)
#145329
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