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102年 - 102 身心障礙特種考試_四等_電力工程:電子學概要#44274
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申論題
試卷:102年 - 102 身心障礙特種考試_四等_電力工程:電子學概要#44274
科目:電子學
年份:102年
排序:3
申論題資訊
試卷:
102年 - 102 身心障礙特種考試_四等_電力工程:電子學概要#44274
科目:
電子學
年份:
102年
排序:
3
申論題內容
三、在純矽半導體中參雜(doping)適量的磷原子(擁有 5 個價電子)之後,請說明會 形成 n 型(n type)或 p 型(p type)半導體?參雜前後自由電子與電洞的數目有何 改變,亦請說明?(10 分)
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提供者:運氣
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