題組內容

二、由金屬與n型半導體形成一個理想的蕭基界面，金屬的功函數qΦM，半導體的電子親 和力qX，能隙為Eg，摻雜濃度為ND，本質載子濃度為ni，電洞遷移率µp，電子遷移 率µn，電洞擴散常數 Dp，電洞生命期τp：（35 分）

⑴熱平衡（Thermal equilibrium）下，蕭基能障高度（Schottky barrier height）qФB及 半導體的內建電位能qVbi為何？