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100年 - 100 身心障礙特種考試_四等_電力工程、電子工程:電子學概要#46158
> 申論題
題組內容
四、分析圖 4 之電路,若 BJT 之r
π
為 1kΩ,轉導增益(g
m
)為 1mA/V,忽略其輸出阻 抗(r
o
):(20 分)
⑴試求放大器之輸入阻抗R
i
。
相關申論題
⑴若輸入電壓 Vi = 1V,試求輸出電壓 Vo值為何?(10 分)
#156914
⑵試求輸入阻抗 Ri值為何?(10 分)
#156915
⑴試求Vo/Vi之直流小信號增益。(10 分)
#156916
⑵試求Vo/Vi之 3dB 頻寬。(10 分)
#156917
⑵試求放大器之電壓增益Vo/Vi。
#156920
五、試以 CMOS 邏輯電路實現以下之布林函數。(20 分) Y=(A+B)C+DE
#156921
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
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