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高等電子電路學
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98年 - 98 公務升官等考試_簡任_電子工程:高等電子電路學研究(包括類比與數位)#47669
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題組內容
一、
⑵試繪出 MOSFET 元件之四端點(source, drain, gate, body)小信號等效電路模型, 此模型須包含⑴中的二種效應,並將元件內各寄生電容一併納入。(7 分)
其他申論題
二、就政策執行面而言,行政院文化建設委員會與各縣市文化相關局處之間,存在著那 些矛盾?又如何加以克服?試抒己見。(25 分)
#164270
三、在辦理大型文化節慶活動時,應如何避免淪為「大拜拜」或「無法產生文化積累」, 請舉例論述之。(25 分)
#164271
四、試舉例說明,「文化性非營利組織」可以進行何種政策遊說的工作,又其效果可能會 如何?(25 分)
#164272
⑴試說明 MOSFET 元件中造成通道長度調變(channel-length modulation)效應及基 底(body)效應的物理機制。(8 分)
#164273
⑶試將⑵中之小信號電路模型作適當之簡化,以求得MOSFET元件之單位增益頻寬 (fT)之表示式。(10 分)
#164275
⑴當輸入信號(設為一弦波)甚小及過大時,此放大器輸出波形皆會有失真(distortion) 現象,試分別解釋其原因。(10 分)
#164276
⑵忽略⑴中的失真現象,並設輸出信號v0(t)為一振幅為Vom之弦波,請計算此放大器 之效率(η),並以Vcc , Vom等參數表示之。(5 分)
#164277
⑶同⑵之狀況,試求消耗於QP及QN中之總平均功率(PD)。(以Vcc , Vom及RL表示 之)(5 分)
#164278
⑷此放大器於理想狀況時最大效率(ηmax)為何?當總平均消耗功率為最大(PD=PD max) 時效率又是多少?(5 分)
#164279
⑴圖二①、②所示,為動態CMOS Latch電路(又稱為C2MOS)之二種可能之實現 方法,其中 φ 及 為二互為反相之時脈(clock)信號。此二電路何者之特性較佳? 試解釋之。(10 分)
#164280