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輻射度量
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94年 - 94-2 高等考試_三級_核子工程:輻射度量#40579
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題組內容
三、以 NaI(Tl)能譜儀度量能量為 2 MeV 之γ射線時,能譜上可能出現單逃逸峰(single escape peak)、雙逃逸峰(double escape peak)及康普吞邊緣(Compton edge): (20 分)
⑶康普吞邊緣能量為何?原因為何?
相關申論題
⑴為使計測誤差最小,則射源與背景計測時間應如何分配?
#125252
⑵在此時間分配條件下,求射源之淨計數率(cps)及其標準差。
#125253
⑴試說明係利用那一種核反應?該反應之 Q 值多少?
#125254
⑵該核反應之反應截面與中子能量之關係如何(以圖表示)?
#125255
⑶今有一10BF3計數管,長 30 公分、管內氣壓為 80 kPa(標準大氣壓為 101.3 kPa) 、 10 B之濃縮濃度為 96 %、熱中子反應截面為 3840 邦(barns),試求熱中子由管軸方 向入射時,此計數管之熱中子計數效率?
#125256
⑴請問此試片是 n 型或 p 型?(5 分)
#125257
⑵請計算電子與電洞濃度。(10 分)
#125258
⑶計算全部之離子濃度。(5 分) (矽之本質濃度為 1.5×1010cm-3)
#125259
二、金屬與半導體之接面有那兩類?若金屬之功函數(ϕm)< N型半導體之功函數(ϕs),請 繪出金屬與N型半導體接面之能帶,並說明此類接面屬於那一類接面。(20 分)
#125260
⑴N+ -Al0.7Ga0.3As與本質之GaAs
#125261
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