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半導體工程
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94年 - 94-2 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40580
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題組內容
一、有一矽試片摻雜濃度 1.5×10
15
cm
-3
之硼離子，與濃度 8×10
14
cm
-3
之砷離子：
⑴請問此試片是 n 型或 p 型？（5 分）
其他申論題
⑵在此時間分配條件下，求射源之淨計數率（cps）及其標準差。
#125253
⑴試說明係利用那一種核反應？該反應之 Q 值多少？
#125254
⑵該核反應之反應截面與中子能量之關係如何（以圖表示）？
#125255
⑶今有一10BF3計數管，長 30 公分、管內氣壓為 80 kPa（標準大氣壓為 101.3 kPa） 、 10 B之濃縮濃度為 96 %、熱中子反應截面為 3840 邦（barns），試求熱中子由管軸方 向入射時，此計數管之熱中子計數效率？
#125256
⑵請計算電子與電洞濃度。（10 分）
#125258
⑶計算全部之離子濃度。（5 分） （矽之本質濃度為 1.5×1010cm-3）
#125259
二、金屬與半導體之接面有那兩類？若金屬之功函數(ϕm)< N型半導體之功函數(ϕs)，請 繪出金屬與N型半導體接面之能帶，並說明此類接面屬於那一類接面。（20 分）
#125260
⑴N+ -Al0.7Ga0.3As與本質之GaAs
#125261
⑵N+ - Al0.7Ga0.3As與p-GaAs （假設Al0.7Ga0.3As能隙為 1.85 eV，GaAs能隙為 1.42 eV，∆Ec=（2/3）∆Eg）
#125262
四、晶圓元件製作過程中，涉及晶圓預烤（Prebake）、光阻軟烤（Soft bake）、光阻 硬烤（Hard bake）等步驟，請說明此些步驟之目的。（15 分）
#125263
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