111年 - 111 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#109458

科目：半導體工程 | 年份：111年 | 選擇題數：0 | 申論題數：7

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (7)

一、請說明半導體材料晶體鑽石結構與閃鋅礦結構之差異，（5 分）閃鋅礦結構與六方晶系結構之異同。（10 分）

二、請說明能隙之種類，（2 分）若製作成發光二極體應選那一種能隙？（3 分）為什麼？（5 分）

三、對於超高效率 III-V 多接面太陽能電池多以磊晶方式成長與製作而成，請問何謂磊晶？（2 分）欲得高品質之磊晶膜首要條件為何？（2 分）於多接面太陽能電池結構中，每個接面間須有何種結構？（2 分）請說明其功能。（4 分）

四、HEMT 元件是藉由那種方式得到 high electron mobility？（5 分）為何較傳統 MOSFET 更高速？（5 分）

五、請畫出下圖 p、n 接觸之能帶圖，（5 分）請說明接觸後界面附近會發生何種現象？（5 分）此時此元件可否當電池使用，為什麼？（5 分）

六、對於 p + n 二極體，其中 p⁺ 載子濃度為 N_A，n 載子濃度為 N_D。請問空乏區（W）主要發生在那一部分？（5 分）請寫出空乏區與載子濃度之關係式。（5 分）此說明可用何種電容量測方式分析載子濃度與 p + n 二極體相關之元件的那種特性？（10 分）

七、請計算面積為 4 μm² 的 MOS 電容對於 10 nm 厚的 SiO₂ 電介質（介電常數 3.9），當施加電壓為 5 V 時，MOS 上存儲的電荷（10 分）和電子數是多少？（10 分）