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申論題

試卷：111年 - 111 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#109458
科目：半導體工程
年份：111年
排序：0

申論題資訊

試卷：111年 - 111 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#109458
科目：半導體工程
年份：111年
排序：0

申論題內容

四、HEMT 元件是藉由那種方式得到 high electron mobility？（5 分）為何較 傳統 MOSFET 更高速？（5 分）