阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
111年 - 111 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#109458
>
四、HEMT 元件是藉由那種方式得到 high electron mobility?(5 分)為何較 傳統 MOSFET 更高速?(5 分)
其他申論題
(三) Help with errands and transportation
#468786
一、請說明半導體材料晶體鑽石結構與閃鋅礦結構之差異, (5 分)閃鋅礦結 構與六方晶系結構之異同。 (10 分)
#468787
二、請說明能隙之種類, (2 分)若製作成發光二極體應選那一種能隙?(3 分) 為什麼?(5 分)
#468788
三、對於超高效率 III-V 多接面太陽能電池多以磊晶方式成長與製作而成, 請問何謂磊晶?(2 分)欲得高品質之磊晶膜首要條件為何?(2 分)於 多接面太陽能電池結構中,每個接面間須有何種結構?(2 分)請說明 其功能。(4 分)
#468789
五、請畫出下圖 p、n 接觸之能帶圖,(5 分)請說明接觸後界面附近會發生何種現象?(5 分)此時此元件可否當電池使用,為什麼?(5 分)
#468791
六、對於 p + n 二極體,其中 p + 載子濃度為 NA,n 載子濃度為 ND。請問空乏區(W)主要發生在那一部分?(5 分)請寫出空乏區與載子濃度之關 係式。(5 分)此說明可用何種電容量測方式分析載子濃度與 p + n 二極 體相關之元件的那種特性?(10 分)
#468792
七、請計算面積為 4 μm2 的 MOS 電容對於 10 nm 厚的 SiO2 電介質(介電常 數 3.9) ,當施加電壓為 5 V 時,MOS 上存儲的電荷(10 分)和電子數 是多少?(10 分)
#468793
(一)新しい制度は、先進国の中で唯一、低学歴化が進んでいる「博士後進 国」の日本を救うことになるのでしょうか。2022 年 5 月 18 日に日本 の国会で成立した、10 兆円規模のファンドで世界最高水準の研究成果 が見込まれる大学を支援する「国際卓越研究大学法」が、大きな議論 を呼んでいます。
#468794
(二)「国威発揚」のイメージがつき、よく議論の的になっている日本の国 歌「君が代」は、 『古今和歌集』にある、 「愛するあなた、あなたの命が いつまでも長く続きますように。そしてあなたがずっと幸せでありま すように」と願う愛の歌であり、戦争の歌ではなかったです。
#468795
(三)「判官贔屓」という言葉が物語るように、平家討伐の大功を挙げなが ら兄頼朝に疎まれ、信頼した奥州藤原氏の裏切りで最期を遂げた悲劇 のヒーローへの肩入れが義経の過大評価に繋がったのかもしれませ ん。また、牛若丸の頃の紅顔の美少年ぶりも義経の人気に寄与してき ました。
#468796