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113年 - 113 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#121484

科目：半導體工程 | 年份：113年 | 選擇題數：0 | 申論題數：7

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (7)

(一)電子與電洞濃度分別為何？（10 分）
(二)若外加電場為 E=15 V/cm，其漂移電流密度為何？（10 分）
(一)請輔以數學表示式說明影響半導體「導電率（conductivity）」之因素為何？（10 分）
(二)載子傳輸包含漂移（drift）與擴散（diffusion）兩種主要機制。請輔以數學表示式說明影響半導體「電流密度（current density）」之因素 為何？（10 分）
三、p-n 接面二極體與蕭特基能障（Schottky barrier）二極體均可具有整流 （rectification）功效。請輔以數學表示式說明影響上述兩者元件之「逆向飽和電流密度（reverse-saturation current density） 」之因素分別為何？（20 分）
四、矽半導體 n 通道金屬-氧化物 -半導體場效電晶體（MOS-FET）之閘極長度 L = 1.25 μm、電子遷移率 μn = 650 cm2/V-s、臨界電壓 Vth = 0.65 V、 閘極氧化層電容 Cox = 6.9 × 10-8 F/cm2，且測得在閘-源極偏壓 VGS = 5 V 之汲極飽和電流（ID, sat）值為 8 mA。試求閘極寬度（W）為何？（20 分）
五、試就「加熱週期」、「加熱率」、「熱預算」、「製程產能」等四項因素， 分別比較傳統爐管熱退火與快速熱退火（RTA）技術之差異？（20 分）