申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：113年 - 113 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#121484
科目：半導體工程
年份：113年
排序：0

申論題內容

四、矽半導體 n 通道金屬-氧化物 -半導體場效電晶體（MOS-FET）之閘極長度 L = 1.25 μm、電子遷移率 μ_n = 650 cm²/V-s、臨界電壓 V_th = 0.65 V、閘極氧化層電容 C_ox = 6.9 × 10^-8 F/cm²，且測得在閘-源極偏壓 V_GS = 5 V 之汲極飽和電流（I_{D, sat}）值為 8 mA。試求閘極寬度（W）為何？（20 分）