申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：113年 - 113 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#121484
科目：半導體工程
年份：113年
排序：0

題組內容

一、砷化鎵（GaAs）半導體在 T=300 K 之本質載子濃度 ni =1.8×10⁶ cm^-3，其施體雜質與受體雜質濃度分別為 ND=2×10¹⁶ cm^-3 及 N_A=0，且為完全解離。假設電子與電洞之遷移率分別為 μ_n=8500 cm²/V-s 及 μ_p=400 cm²/V-s；單位電量 q=1.6×10^-19 C。試求：

申論題內容

(一)電子與電洞濃度分別為何？（10 分）