申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：111年 - 111 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#109458
科目：半導體工程
年份：111年
排序：0

七、請計算面積為 4 μm² 的 MOS 電容對於 10 nm 厚的 SiO₂ 電介質（介電常數 3.9），當施加電壓為 5 V 時，MOS 上存儲的電荷（10 分）和電子數是多少？（10 分）