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半導體工程
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111年 - 111 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#109458
> 申論題
六、對於 p + n 二極體,其中 p
+
載子濃度為 N
A
,n 載子濃度為 N
D
。請問空乏區(W)主要發生在那一部分?(5 分)請寫出空乏區與載子濃度之關 係式。(5 分)此說明可用何種電容量測方式分析載子濃度與 p + n 二極 體相關之元件的那種特性?(10 分)
相關申論題
一、請說明半導體材料晶體鑽石結構與閃鋅礦結構之差異, (5 分)閃鋅礦結 構與六方晶系結構之異同。 (10 分)
#468787
二、請說明能隙之種類, (2 分)若製作成發光二極體應選那一種能隙?(3 分) 為什麼?(5 分)
#468788
三、對於超高效率 III-V 多接面太陽能電池多以磊晶方式成長與製作而成, 請問何謂磊晶?(2 分)欲得高品質之磊晶膜首要條件為何?(2 分)於 多接面太陽能電池結構中,每個接面間須有何種結構?(2 分)請說明 其功能。(4 分)
#468789
四、HEMT 元件是藉由那種方式得到 high electron mobility?(5 分)為何較 傳統 MOSFET 更高速?(5 分)
#468790
五、請畫出下圖 p、n 接觸之能帶圖,(5 分)請說明接觸後界面附近會發生何種現象?(5 分)此時此元件可否當電池使用,為什麼?(5 分)
#468791
七、請計算面積為 4 μm2 的 MOS 電容對於 10 nm 厚的 SiO2 電介質(介電常 數 3.9) ,當施加電壓為 5 V 時,MOS 上存儲的電荷(10 分)和電子數 是多少?(10 分)
#468793
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差,並在能帶圖上標示出來。(10 分)
#560349
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