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半導體工程
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94年 - 94-2 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40580
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題組內容
三、請繪出以下之能帶圖:(每小題 5 分,共 10 分)
⑵N
+
- Al
0.7
Ga
0.3
As與p-GaAs (假設Al
0.7
Ga
0.3
As能隙為 1.85 eV,GaAs能隙為 1.42 eV,∆Ec=(2/3)∆Eg)
其他申論題
⑵請計算電子與電洞濃度。(10 分)
#125258
⑶計算全部之離子濃度。(5 分) (矽之本質濃度為 1.5×1010cm-3)
#125259
二、金屬與半導體之接面有那兩類?若金屬之功函數(ϕm)< N型半導體之功函數(ϕs),請 繪出金屬與N型半導體接面之能帶,並說明此類接面屬於那一類接面。(20 分)
#125260
⑴N+ -Al0.7Ga0.3As與本質之GaAs
#125261
四、晶圓元件製作過程中,涉及晶圓預烤(Prebake)、光阻軟烤(Soft bake)、光阻 硬烤(Hard bake)等步驟,請說明此些步驟之目的。(15 分)
#125263
五、一片 6"晶圓被帶雙電子之離子以 1013 ions/cm2植入 1 分鐘,請問需多少beam current ?(10 分)
#125264
六、請說明太陽能電池之工作原理,並繪出電流-電壓關係圖,與標示出最大之功率點。 (10 分)
#125265
七、欲將 N 型半導體電性改為 P 型半導體,有那幾種做法?(5 分)
#125266
八、量測半導體電阻率時可用四點探針法,請說明其裝置與用此方法之優點。(10 分)
#125267
⑴機率抽樣(Probabilistic sampling)與非機率抽樣(Non-probabilistic sampling)。 (8 分)
#125268