題組內容

三、今有一電路如圖(三甲)所示，VDD=VSS=10 V、I=0.5 mA、RG=4.7 MΩ、RD=15 kΩ、 RL=30 kΩ；其中CC1、CC2、CS為耦合電容。已知此MOSFET的參數如下：Vt =1.5 V、kn= 1.0 mA/V2、通道長度調變效應（channel length modulation effect）｜VA｜=75 V。

⑶試利用 MOSFET 小信號的 T model 等效電路模型畫出此放大電路包括信號源與負 載在內的小信號等效電路。（5 分）