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授信法規及授信實務

銀行法及會計學

保險學概要及保險數學

115年 - 115 專技高考_民間之公證人：強制執行法與國際私法#143671(4題)

115年 - 115 專技高考_民間之公證人：非訟事件法與民事訴訟法#143669(4題)

115年 - 115 專技高考_不動產估價師：土地利用法規#143668(4題)

115年 - 115 專技高考_不動產估價師：不動產經濟學#143667(4題)

115年 - 115 專技高考_不動產估價師：不動產估價理論#143666(4題)

115年 - 115 專技高考_專利師（選試專業英文及工程力學）、專利師（選試專業日文及工程力學）：工程力學#143664(6題)

115年 - 115 嘉南藥理大學_科技校院日間部四年制申請入學招生試題_藥學系：化學#143599(50題)

115年 - 115 嘉南藥理大學_科技校院日間部四年制申請入學招生試題_藥學系：生物#143594(50題)

115年 - 115 嘉南藥理大學_日間部四年制單獨招生藥學系考試試題_【四技一年級】：生物#143593(40題)

115年 - 115 嘉南藥理大學_日間部四年制單獨招生藥學系考試試題_【四技一年級】：化學#143582(40題)

146. 以一含內阻之電源提供負載功率，當負載獲得最大輸出功率時，其傳輸效率為何？ 鐵路、國安特考 112 (A)25% (B)50% (C)60% (D)80%

145. 以 KCL 求解右圖示電路時，下列何者為節點 Vb 之正確表示式？ 初等考 114 (A)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 = 0 (B)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 + R4 = 0 (C)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 –(Vb – Vc)/R2 = 0 (D)(Vb – Va)/R1 + (Vb – Vc)/R2 = 0

144. 如下圖所示之電路，則電流 I 為多少安培？ 初等考 114 (A) –2 (B)\( \frac{4}{3} \)(C)4 (D)6

四、通過 ISO/IEC 17025 國際標準認證是維持鑑識科學實驗室品質的重要方式之一，該國際標準中要求實驗室對於量測之設備需評估其量測不確定度，試說明何謂「量測不確定度」？並舉例說明 1 種以上評估及計算方式。

三、試說明紅外線攝影及螢光攝影之原理與運用時應注意事項，並各舉一例其技術在刑案現場之應用。

(四)進行指紋比對時，研判兩枚指紋為個化結果之條件，除需紋型相符外，另需達 12 個指紋特徵點相符，其理由何在？(10 分)

公民課程(八九年級)

講師：摩友(100006038949016)

簡介：公民課程(八九年級)

AI初級-科目1-L11101 AI的定義與分類

講師：ABEL WANG

簡介：iPAS◆AI應用規劃師◆初級課程主要分為科目1:L11人工智慧基礎概論(9個單元)，科目2:生成式 AI應用與規劃(7個...

選修化學ＩＩ 題目演練

講師：Kai

簡介：延續 108 課綱規劃，聚焦於更進一步的核心主題，包括 原子結構與週期表趨勢、化學鍵與分子形狀、化學平衡與...

企業管理 錯題集

描述：考古題錯題集

燭光

描述：照明應達到一百米燭光以上， 工作或調理檯面應保持二百米燭光以上

語言發展

描述：整理自 精萃1-6語言發展

73.下列那一個輻射源是中子射源？ (A)32P (B)210Pu-Be (C)60Co (D)147Pm-Au

1 在卵受孕過程中，前三週之著床期（preimplantation）過度輻射曝露，最易造成那種後果？ (A)嬰兒患器官發育畸形症 (B)嬰兒患生長遲滯症 (C)後代白血病發生率增加 (D)造成不自知之流產

1. 有關下列之敘述，何者正確？(A) 財政部國際貿易署為我國的貿易主管機關(B) 代理交易是委託人與代理人間一種買斷關係(C) 衛生福利部負責藥品、醫療器材、食品及化妝品等進出口審理(D) 關務署掌理貨物進出口驗關、徵稅及退保稅，其主管機關為經濟部。

2. 甲公司以CIF Dubai出口貨物，並依一般慣例投保最低基本險。貨物裝船後，因航經戰區遭受戰爭行為損失。若契約未特別約定加保戰爭險，下列何者最正確？(A) 因為是CIF，故一切風險均由賣方承擔至目的港(B) 因為賣方已投保，所以保險人一定全額理賠(C) 戰爭危險通常非基本險自動承保範圍，未加保時，該部分損失可能由買方自行承擔(D) 買方可主張CIF一律包含戰爭險。

20.在花店各式花籃的慶賀賀卡上的題辭，下列何者錯誤？ (A)長輩嫁女：摽梅迨吉 (B)好友遷居：良禽擇木 (C)晚輩訂婚：緣定三生 (D)親戚生兒：弄瓦徵祥

(二)請就一 n 型 MOSFET 元件中的 LDD(lightly doped drain) 、halo 與 APT (anti-punch through)等三項離子佈植步驟，說明其主要目的與植入雜質型式(n 型、p 型或均可) 。(15 分)