最新資料

銀行◆財務管理、會計學、金控相關法規及實務

護理系◆精神科護理學、社區衛生護理學

高普考/三級◆兩岸關係(概要)

115年 - 115-2 期貨交易分析人員：期貨、選擇權與其他衍生性商品#145047(42題)

115年 - 115-2 期貨交易分析人員：衍生性商品之風險管理#145046(38題)

115年 - 115-2 期貨交易分析人員：期貨法規與自律規範#145045(39題)

115年 - 115 國營臺灣鐵路股份有限公司宜蘭電力段、花蓮電務段、臺東電力段服務員（電力類科）從業人員聯合甄試：基本電學概要#145044(40題)

115年 - 115-1 期貨交易分析人員：衍生性商品之風險管理#145043(45題)

115年 - 115-1 期貨交易分析人員：期貨法規與自律規範#145042(38題)

115年 - 115 國營臺灣鐵路股份有限公司宜蘭電力段、花蓮電務段、臺東電力段服務員（電力類科）從業人員聯合甄試：作文#145034(1題)

115年 - 115-1 證券投資分析人員：證券交易相關法規與實務#145029(31題)

115年 - 115-1 證券投資分析人員：投資學#145028(43題)

115年 - 115-2 證券投資分析人員：證券交易相關法規與實務#145027(38題)

146. 以一含內阻之電源提供負載功率，當負載獲得最大輸出功率時，其傳輸效率為何？ 鐵路、國安特考 112 (A)25% (B)50% (C)60% (D)80%

145. 以 KCL 求解右圖示電路時，下列何者為節點 Vb 之正確表示式？ 初等考 114 (A)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 = 0 (B)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 + R4 = 0 (C)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 –(Vb – Vc)/R2 = 0 (D)(Vb – Va)/R1 + (Vb – Vc)/R2 = 0

144. 如下圖所示之電路，則電流 I 為多少安培？ 初等考 114 (A) –2 (B)\( \frac{4}{3} \)(C)4 (D)6

四、通過 ISO/IEC 17025 國際標準認證是維持鑑識科學實驗室品質的重要方式之一，該國際標準中要求實驗室對於量測之設備需評估其量測不確定度，試說明何謂「量測不確定度」？並舉例說明 1 種以上評估及計算方式。

三、試說明紅外線攝影及螢光攝影之原理與運用時應注意事項，並各舉一例其技術在刑案現場之應用。

(四)進行指紋比對時，研判兩枚指紋為個化結果之條件，除需紋型相符外，另需達 12 個指紋特徵點相符，其理由何在？(10 分)

天文

講師：steven

簡介：天文學是一門研究天體和發生在宇宙中各種現象的自然科學。它使用數學、物理和化學來解釋它們整體的起源和演...

研究所英文考題全解析

講師：Terry Tung

簡介：研究所英文一次搞定！ 精選台大、成大、政大、交大、師大、中正近年考題，完整分類解析，每題一步步拆解到...

學測英文總整理

講師：Terry Tung

簡介：整合100之後的學測試題和100~110指考英文試題，提供完整試題解析和教學講義，章節如下： 1. 詞彙題 2. 綜合...

金融科技的發展演進 雲端運算 大數據

描述：金融科技力重點

企業管理大意

描述：傳統/修正/整合理論時期

郵政法數字筆記

描述：必考數字重點筆記

73.下列那一個輻射源是中子射源？ (A)32P (B)210Pu-Be (C)60Co (D)147Pm-Au

1 在卵受孕過程中，前三週之著床期（preimplantation）過度輻射曝露，最易造成那種後果？ (A)嬰兒患器官發育畸形症 (B)嬰兒患生長遲滯症 (C)後代白血病發生率增加 (D)造成不自知之流產

1. 有關下列之敘述，何者正確？(A) 財政部國際貿易署為我國的貿易主管機關(B) 代理交易是委託人與代理人間一種買斷關係(C) 衛生福利部負責藥品、醫療器材、食品及化妝品等進出口審理(D) 關務署掌理貨物進出口驗關、徵稅及退保稅，其主管機關為經濟部。

2. 甲公司以CIF Dubai出口貨物，並依一般慣例投保最低基本險。貨物裝船後，因航經戰區遭受戰爭行為損失。若契約未特別約定加保戰爭險，下列何者最正確？(A) 因為是CIF，故一切風險均由賣方承擔至目的港(B) 因為賣方已投保，所以保險人一定全額理賠(C) 戰爭危險通常非基本險自動承保範圍，未加保時，該部分損失可能由買方自行承擔(D) 買方可主張CIF一律包含戰爭險。

20.在花店各式花籃的慶賀賀卡上的題辭，下列何者錯誤？ (A)長輩嫁女：摽梅迨吉 (B)好友遷居：良禽擇木 (C)晚輩訂婚：緣定三生 (D)親戚生兒：弄瓦徵祥

(二)請就一 n 型 MOSFET 元件中的 LDD(lightly doped drain) 、halo 與 APT (anti-punch through)等三項離子佈植步驟，說明其主要目的與植入雜質型式(n 型、p 型或均可) 。(15 分)