100年 - 教育部受託辦理100年國立高中職教師甄選資訊科試題含答案#46627

科目：教甄◆電腦科專業 | 年份：100年 | 選擇題數：20 | 申論題數：17

試卷資訊

所屬科目：教甄◆電腦科專業

選擇題 (20)

1.一個色碼電阻的四個色帶依序為藍、紅、黃、金，則此電阻的誤差範圍為何？ (A)± 3.1kΩ (B)± 6.2kΩ (C)± 31kΩ (D)± 62kΩ 。

2.如下圖，5A電流源提供之功率為：(A)40W (B)60W (C)80W (D)100W 。

3.如下圖，AB 兩端的電壓在 10⁻³秒內由 0 V 線性上升到 1.5 V，而測量到 3mA 的定電流流過，求電容 (A)4 µ F (B)6 µ F (C)8 µ F (D)10 µ F 。

4.下圖所示，電晶體電路，β=49，V_BE=0.6V，試求R之值，使VCE=4.4V： (A)R=4.75KΩ (B)R=5.5KΩ (C)R=6.75KΩ (D)R=10.25KΩ 。

5.下圖所示電路，Vz=6V，Pz(max)=144mW，若欲使Zener正常動作，試求RL之範圍： (A) 0.1kΩ ≤ R_L ≤ 0.2kΩ (B) 0.2kΩ ≤ R_L ≤ 0.8KΩ (C) 0.1kΩ ≤ R_L ≤ 1kΩ (D) 0.2kΩ ≤ R_L ≤ 1kΩ 。

6.如圖所示電路，7483 為一個 4 位元平行加法器，若輸入A₄A₃A₂A₁= 0110、B4B3B2B1 = 1001 且C₀ = 1，則輸出S4S3S2S1 =(A)1101 (B)0011 (C)1011 (D)1111 。

7.布林函數F=

可化簡為 (A)A+

。

8.如圖所示電路，試求跨於100 Ω電阻上的電壓v為何？(A)20 V (B)50 V (C)60 V (D)80 V 。

9.如圖所示電路，若X_AC 為2.5 A的電流源，下列選項何者錯誤？ (A)I₂ = 7.5 A (B)I₃ = 5 A (C)V_BC = 5 V (D)V_BD = 10 V 。

10.如圖所示之電晶體放大器電路，此回授放大器的架構為： (A)電壓取樣、串聯回授 (B)電流取樣、串聯回授 (C)電壓取樣、並聯回授 (D)電流取樣、並聯回授。

11.256K × 8bit 的PROM 最多可規劃多少輸入變數的幾個布林函數？ (A)10 輸入變數的4 個布林函數 (B)12 輸入變數的8 個布林函數 (C)18 輸入變數的8 個布林函數 (D)20 輸入變數的16 個布林函數。

12.如圖所示電路，V_EB = 0.7 V，熱電壓 V_T = 26 mV，則小訊號分析之輸入阻抗Zi 最接近下列何值？ (A) 15.5Ω (B) 25.5 Ω (C) 35.5 Ω (D) 45.5 Ω 。

13.下列對於BJT 電晶體與MOSFET 電晶體的敘述，何者有誤？ (A) BJT 電晶體為雙極性 ( Bipolar ) 電晶體 (B) BJT 電晶體為一種電壓控制元件，MOSFET 電晶體為一種電流控制元件 (C) MOSFET 電晶體為單極性 ( Unipolar ) 電晶體 (D) BJT 電晶體的輸入阻抗比MOSFET 電晶體的輸入阻抗小。－共 6 頁，第 2 頁－公告用

14.一個數位加法器的積體電路( IC )分別以BJT 電晶體設計和用MOS 電晶體設計，一般而言對這兩種設計方式，下列敘述何者正確？ (A) 對於速度，以BJT 電晶體實現的IC 會比以MOS 電晶體實現的IC 快 (B) 對於功率消耗，以BJT 電晶體實現的IC 會比以MOS 電晶體實現的IC 省電 (C) 對於輸出訊號，以BJT 電晶體實現的IC 會比以MOS 電晶體實現的IC 有較高的雜訊邊界 ( Noise Margin ) (D) 對於密度，以BJT 電晶體實現的IC 會比以MOS 電晶體實現的IC 密度高。

15.有一放大器V i ( t) =2sin( ω t+10 °)+ sin 2ω t ，V_o ( t)= 4sin( ω t +10°) +3sin 2 ωt ，此放大器有何種失真? (A)波幅失真 (B)頻率失真 (C)相位失真 (D)以上均是。

16.如圖所示，為C₁ 33μF 充滿電後，把開關S由A移到B點，則之電壓降為 C₁ 75V後達到穩定。假設C_X之初始電壓值為零，則電容CX值為： (A) 11μF (B) 22μF (C) 33μF (D) 44μF 。

17.如圖所示，為 MOD? 計數器 (A) 5 (B) 6 (C) 7 (D) 8 。

18.如圖所示，使用一多工器來實現布林代數，求 f wxyz ( , , , )= ( ? ) ∑ (A) ∑( 0,3,5,7,9,11,14,15 ) (B) ∑( 1, 4,6,7,9,13,14,15 ) (C) ∑( 2,5,6,7,9,13,14,15 ) (D) ∑ ( 3,4,5,7,9,13,14,15 ) 。

19.如圖所示，波形所對應之正確邏輯為何? (A) F=A⊕B⊕C(B) F=A⊕B⊕

⊕C (D) F = B☉C 。

20.有一矽二極體，在 25°C 時的逆向飽和電流為 2nA，當溫度升高至 65°C 時，逆向飽和電流將為？ (A)8nA (B)16nA (C)32nA (D)64nA 。

申論題 (17)

1. 如圖所示電路中，R₁ 和R₂ 的消耗功率分別 23.7 W及 36.3 W。已知I_S=1.25A，試求V_S= _______

2.具有11 個狀態（state）的序向邏輯電路，最少需使用多少個正反器做記憶元件？______

3.如圖所示電路，二極體之順向導通壓降均為0.7 V，則Vo 為_____

4.如圖所示屬何種電路？ ______

5.矽二極體的逆向電阻會隨溫度增高而_____

6. PN接面二極體，若以接面處為界，在P型側空乏區內的電荷為____

7.在80x86系統中，使用如圖所示之邏輯電路作為定址解碼，則ROM的位址解碼範圍為何？_____

8.如圖所示，求此電路的輸入電阻R _in 為_____

9.某一電容器之電容量為20μF，若跨於電容兩端之瞬間電壓為3 V，則其瞬間儲存之能量為_____

10.RLC 串聯電路中，R = 10 Ω，L = 10 mH，C = 50 μF，在接上交流電源時，發現電流較電壓超前45°，則電源之角頻率為______

11. 如圖所示，若 V _DD=20 V、 R₁ = 6.5MΩ 、 R₂ = 3.5MΩ 、 R_D =1kΩ、R_S=100Ω 、 K = 0.4 mA/ V ²、 V _t=1 V ，已知 2 ( -) I_D= K(V_GS -Vt)² ，求VGS= ? (5分)

12. 如圖所示，電路中電源電壓為± 15V， R₁＝20k Ω ， R₂ ＝10k Ω ， R ＝15kΩ ， C＝ 0.1 μ F，求T= ? （5分）

13. 如圖所示，為串並聯等值互換電路，在 a、b 端必須滿足Z = Z_S=Z _P 、Q=Q_S =Q_P(X_S 與 X_P 為電抗性元件)，由串聯等效成並聯可推得：

，由並聯等效成串聯可推得：

，試推導串並聯等值互換之通式:

14. 如圖所示，求 f ₂(x, y,z) =？ (5 分)

15.如圖所示電路，（1）試求AB兩點間之總電容？（2）當電容器C2之電量為 120 微庫侖時，則AB之電位差為若干？

(1)請繪出所有 JK 之卡諾圖。

(2)請繪出所設計之電路圖。