109年 - 109 臺北捷運：電子學概要#84076

1.下圖所示的理想運算放大器，屬於何種？
(A)反相放大器 (B)非反相放大器 (C)微分器 (D)積分器

2.接續第 1 題，放大器增益為何？ (A) (B) (C) (D)

3.接續第 1 題，R₁=20kΩ，R_f =100kΩ，量測到 V_o=60V，推估 V_in應該為多少伏特？ (A)+12 (B)-12 (C)+10 (D)-10

4.下圖所示的理想放大器，V_in=20V，R₁=10kΩ，當 R_f壞掉，變成斷路，電壓 Vo接近多少伏特？
(A)0 (B)+∞ (C)-∞ (D) 以上皆非

5.下圖所示的理想放大器，V_in=20V，R₁=10kΩ，當 R_f壞掉，變成短路，電壓 V_o接近多少伏特？
(A)0 (B)+∞ (C)-∞ (D) 20V

6.下圖所示 BJT 電路，V_CC=+20V，-V_EE= -20V，V_BE(ON)＝0.7V，β=100。當 V_C=+6V，I_C=+2mA，電阻 R_C為多少？
(A)7KΩ (B)5KΩ (C)3KΩ (D)以上皆非

7.接續第 6 題，電流 I_B為多少毫安培？ (A)0.01 (B)0.02 (C)0.03 (D)以上皆非

8.接續第 7 題，電流 I_E為多少毫安培？ (A)1.01 (B)2.02 (C)3.03 (D)以上皆非

9.接續第 8 題，電壓 V_E為多少伏特？ (A)-20V (B)+0.7 (C)-0.7 (D)以上皆非

10.接續第 9 題，電阻 R_E為多少？ (A)19.1Ω (B)9.55Ω (C)19.1KΩ (D)9.55KΩ

11.下圖所示矽二極體電路，輸出電壓 v_o最高為多少伏特？
(A)+0.7 (B)-0.7 (C)vi (D)0

12.接續第 11 題，輸出電壓 v_o最低為多少伏特？ (A)+0.7 (B)-0.7 (C)vi (D)0

13.下圖所示矽二極體電路，當右邊二極體壞掉，變成斷路，輸出電壓vo最低為多少伏特？
(A)+0.7 (B)-0.7 (C)0 (D)vi

14.下圖所示為何種電路?
(A)三相電路 (B)半波整流電路 (C)全波整流電路 (D)升壓電路

15.接續第 14 題，當 vS正半週，下列何者正確? (A)D1導通、D2導通 (B)D1導通、D2不導通(C)D1不導通、D2導通 (D)D1不導通、D2不導通

16.接續第 14 題，每一個二極體導通電壓為 V_D，有關 v_S與 v_O敘述，何者正確? (A)v_O比 v_S高 2V_D (B)v_O比 v_S高 V_D(C)v_S比 v_O高 2V_D (D)v_S比 v_O高 V_D

17.接續第 14 題，每一個二極體承受的最大逆偏電壓，下列何者正確? (A)v_S (B)v_S-V_D (C)v_S-2V_D (D)v_S-3V_D

18.下圖所示二極體電路，當二極體 D₂壞掉，變成斷路，下列何者正確?
(A)v_O電壓為 0 伏特 (B)v_O電壓為 1.4 伏特 (C)正半週功能正常(D)負半週功能正常

19.下圖所示 BJT 放大器，有關電晶體敘述，下列何者正確？
(A)操作於飽和區 (B)操作於主動區 (C)操作於三極管區(D)操作於截止區

20.接續第 19 題，有關電晶體敘述，下列何者正確？ (A)V_BE順偏、V_BC逆偏 (B)V_BE順偏、V_BC順偏 (C)V_BE逆偏、V_BC順偏 (D)V_BE逆偏、V_BC逆偏

21.接續第 19 題，通道調變電阻 ro，輸出端之小信號電阻 Rout為何? (A)R_B//R_C//ro (B)R_B//ro (C)R_C//ro (D)R_B//R_C

22.接續第 19 題，輸入端之小信號電阻 Rin為何? (A)R_B//R_C//r_π (B)R_B//r_π (C)R_C//r_π (D)R_B//R_C

23.接續第 19 題，電晶體轉導 g_m，通道調變電阻 r_o，放大器增益(vo/vi)為何? (A)-g_m(r_o+R_C+R_L) (B)+g_m(r_o+R_C+R_L) (C)-g_m(r_o//R_C//R_L) (D)+g_m(r_o//R_C//R_L)

24.接續第 19 題，電壓 V_CC加入旁路電容 C，目的為何？ (A)增加增益 (B)降低電流 (C)充電 (D)形成小信號接地

25.下圖所示放大器電路，電晶體 Q₁與 Q₂，正確操作區域為何?
(A)Q₁飽和區，Q₂三極管區 (B)Q₁飽和區，Q₂飽和區 (C)Q₁三極管區，Q₂三極管區 (D)Q₁三極管區，Q₂飽和區

26.接續第 25 題，操作於小信號差動模式，有關電晶體 Q₁與 Q₂源極端敘述，何者正確？ (A)Q₁高阻抗，Q₂高阻抗 (B)Q₁虛接地，Q₂虛接地 (C)Q₁虛接地，Q₂高阻抗 (D)Q₁高阻抗，Q₂虛接地

27.接續第 25 題，操作於小信號差動模式，半電路分析之單端增益(vo1/vid)為何？ (A)+g_mR_D (B)-g_mR_D(C)+1/2g_mR_D (D)-1/2g_mR_D

28.接續第 25 題，操作於小信號差動模式，半電路分析之單端增益(vo2/vid)為何？ (A)+g_mR_D (B)-g_mR_D(C)+1/2g_mR_D (D)-1/2g_mR_D

29.接續第 25 題，操作於小信號差動模式，整體差模增益(vo2- vo1)/vid為何？ (A)+g_mR_D (B)-g_mR_D (C)+1/2g_mR_D (D)-1/2g_mR_D

30.下圖所示電路，操作於小信號共模模式，有關電晶體 Q₁ 與 Q₂ 源極端敘述，何者正確？
(A)Q₁虛接地，Q₂虛接地 (B)Q₁虛接地，Q₂阻抗為 R_SS (C)Q₁阻抗為 R_SS，Q₂阻抗為 R_SS (D)Q₁阻抗為 2R_SS，Q₂阻抗為 2R_SS

31.接續第 30 題，半電路之共模增益為何？ (A) (B) (C)(D)

32.接續第 30 題，整體電路之共模增益 Acm=(v_o2- v_o1)/v_icm為何？ (A)0 (B) (C)(D)

33.放大器之共模拒斥比為何？ (A)(B)(C)(D)

34.有關放大器共模拒斥比敘述，何者正確？ (A)比值為 1 (B)比值為 0 (C)越大越好 (D)越小越好

35.有關放大器輸入端的雜訊，可以視為下列何項？ (A)共模 (B)差模 (C)電壓源 (D)接地

36.差模放大器比單端放大器，具有哪一項優勢？ (A)低電壓 (B)低電流 (C)高信號雜訊比 (D)低功率消耗

37.下圖所示的放大器輸出級，Q_N導通電壓 V_BE(on)=+0.5V，Q_P導通電壓V_BE(on)= -0.5V。當輸入 v_I=0，電晶體狀態為何？
(A)Q_N關閉、Q_P打開 (B)Q_N關閉、Q_P關閉 (C)Q_N打開、Q_P打開 (D)Q_N打開、Q_P關閉

38.接續第 37 題，此結構屬於何類型放大器 (A)class C (B)class AB (C)class A (D)class B

39.接續第 37 題，輸出波型為何？ (A) (B)(C) (D)以上皆非

40.下圖所示的串接放大器電路，忽略通道調變效應 (r_o= ∞ ) ，V_BE(on)=0.7V，V_TH=25mV，求第二級 BJT 之基極端偏壓電流為多少？
(A)1μA (B)10μA (C)100μA (D)以上皆非

41.接續第備 40 題，第二級輸入阻抗 Z_i2為多少仟歐姆？ (A)250 (B)25 (C)2.5 (D)0.25

42.接續第備 40 題，第二級電壓增益為何？ (A)-121 (B)+121 (C)-12.1 (D)+12.1

43.下圖所示迴授放大器電路，放大器開路增益 Av= -100V/V，迴授電容 C_f=10pF，採用密勒定理(Millier’s theorem)，將迴授電容 C_f 以電容 C₁與 C₂取代，如下圖所示，請問電容 C₁為多少 pF？
(A)1010 (B)101 (C)10.1 (D)1.01

44.接續第 43 題，請問電容 C₂為多少 pF？ (A)1010 (B)101 (C)10.1 (D)1.01

45.接續第 43 題，有關放大器頻率響應，輸入端的電容 C₁與電阻 R_sig會產生何項？ (A)極點 (B)零點 (C)原點 (D)無窮遠點

46.下圖所示考畢子(Colpitts oscillator)振盪器，Z₁為哪一種元件？ (A)電感 (B)電容 (C)電阻 (D)二極體

47.接續第 46 題，Z₃為哪一種元件？ (A)電感 (B)電容 (C)電阻 (D)二極體

48.接續第 46、47 題，振盪頻率 fo為？ (A) (B) (C) (D)

49.下圖所示下拉式數位邏輯網路，輸出 Y 與輸入 A、B、C、D 的布林代數式為何？
(A) (B)Y=A•B•(C+D)(C) (D)Y=(A+B)+C•D

50.下圖所示數位邏輯網路，輸出 Y 與輸入 A、B 的布林代數式為何？
(A) (B) (C) (D) 以上皆非

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