108年 - 10808 臺北捷運：電子學概要#79631

科目：捷運◆電子學概要 | 年份：108年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：捷運◆電子學概要

選擇題 (50)

1. 屬於何種形式？ (A)反向輸入 (B)非反向輸入 (C)正規化輸入 (D) 非正規化輸入。

2. 接續第 1 題，v₁=5V，v₂=10V，R₁=10kΩ，R₂=20kΩ，R₃=100kΩ，電壓 v_o為多少伏特？ (A)+100 (B)+125 (C)-125 (D)以上皆非。

3. 何謂非反向輸入？ (A)輸入和輸出信號相差180度 (B)輸入和輸出信號相差0度 (C)輸入和輸出信號相差 90 度(D) 輸入和輸出信號相差 270 度。

4. 下圖所示的理想放大器，v₁=5V，v₂=10V，R₁=10kΩ，R₂=20kΩ，當 R3壞掉，變成斷路，電壓 v_o接近多少伏特？ (A)0 (B)+VSat (C)-VSat (D) 以上皆非。

5. 下圖所示的理想放大器，v₁=5V，R₂=100kΩ，當 R₁壞掉，變成斷路，電壓 v_o接近多少伏特？

(A)0 (B)+V_Sat(C)-V_Sat (D) 以上皆非。

6. 電晶體 Q1與 Q2要操作在哪一區？ (A)截止區 (B)主動區 (C)飽和區 (D)三極管區。

7. 接續第 6 題，當 V₁=V₂，操作在共模模式，可以用下圖之半電路做分析。電阻 R 為多少？ (A)2.325KΩ (B)4.65KΩ (C)9.3KΩ (D)以上皆非。

8. 接續第 7 題，當 V₁=0V，電流 I_E1為多少毫安培？ (A)1 (B)2 (C)4 (D)以上皆非。

9. 接續第 7 題，當 V₁=0V，電流 I_C1為多少毫安培？ (A)0.099 (B)0.99 (C)9.9 (D)以上皆非。

10. 接續第 6 題，當 V₁=V₂=0V，電晶體之 g_m近似值為？ (A)4mƱ (B)40mƱ (C)400mƱ (D)以上皆非。

11. 接續第 6 題，差模阻抗 R_id如下圖，R_id為多少歐姆? (A)5 (B)50 (C)500 (D)5000。

12. 下圖所示理想二極體電路，V_T=0.7V 輸出電壓 v_o最低為多少伏特？ (A)0 (B) vi (C)-0.7 (D)+0.7。

13. 下圖所示理想稽納二極體電路，V_T=0.7V 輸出電壓 v_o，下列何者正確？ (A)最高電壓為(V_Z2+0.7V) (B)最高電壓為(V_Z1+0.7V) (C)最低電壓為(-V_Z2-0.7V) (D)最低電壓為(-V_Z1+0.7V)

14. 週邊放置電子原件 Z₁，其用途為何? (A)溫度保護 (B)濕度保護 (C)防撞防護 (D)靜電防護。

15. 接續第 14 題，元件 Z1何項敘述錯誤? (A)需符合人體模型(HBM)測試 (B)啟動時，通過低電流 (C)低動態電阻 (D)低電容量。

16. 輸出電壓 V_out最低需滿足何條件? (A)Q₂在飽和區 (B)Q₂在主動區 (C)Q₂在三極管區 (D)Q₂在截止區。

17. 接續第 16 題，輸出電壓 V_out最低為何? (A)V_ds2+V_t (B)V_gs2+V_t(C)V_gs2-V_t (D)V_ds2-V_t。

18. 接續第 16 題，(W/L)₂為(W/L)₁ 6 倍，電流 I_D2為 I_D1幾倍? (A)2 (B)4 (C)6 (D)8 .

19. 此原因為何？ (A)基底效應 (B)通道調變效應 (C)霍爾效應 (D)熱跑脫效應。

20. 接續第 19 題，操作在飽和區，描述電流 I_D2對應電壓 V_DS2效應，可以用電壓-VA表示，有關-VA說明，何者正確？ (A)-V_A值越小，電流 I_D2變化較小。 (B)-V_A值越小，電流 I_D2變化較大。 (C)-V_A值越小，電壓 V_DS2變化較小。 (D)-V_A值越小，電壓 V_DS2變化較大。

21. 接續第 19 題，操作在飽和區，如何降低電流 I_D2對應電壓 V_DS2之變化? (A)增加 V_GS2-V_t(B)選用通道寬度較寬的電晶體。 (C)選用通道寬度較窄的電晶體。 (D)選用通道長度較長的電晶體。

22. 有關負載敘述，何者正確？ (A)無負載 (B)主動負載 (C)被動負載 (D)電阻負載

23. 接續第 22 題，有關電晶體 Q₂的敘述，何者錯誤？ (A)汲極端(drain)看入之小信號電阻為 r_o2。 (B)當作電流源，提供定電流。 (C)汲極端(drain)看入之小信號電阻為 1/g_m2。 (D)增強型電晶體。

24. 接續第 22 題，電晶體操作區域，何者正確？ (A)Q₁三極管區，Q₂三極管區。 (B)Q₁飽和區，Q₂三極管區。 (C)Q₁飽和區，Q₂飽和區。 (D)Q₁主動區，Q₂主動區。

25. 接續第 22 題，放大器增益(v_o/v_i)為何？ (A)g_m1(r_o1//r_o2) (B)g_m1r_o1+g_m1r_o2 (C)g_m1r_o1 (D)g_m1r_o2。

26. 接續第 22 題，下圖所示為輸出電壓 v_O對應電流 i_D1的曲線圖，如果操作在負載曲線 B 點左邊，下述何者正確？ (A)Q₁飽和區，Q₂三極管區。 (B)Q₁飽和區，Q₂飽和區。 (C)Q₁三極管區，Q₂三極管區。 (D)Q₁三極管區，Q₂飽和區。

27. 接續第 26 題，如果操作在負載曲線 A 點與 B 點之間，下述何者正確？

(A)Q₁飽和區，Q₂三極管區。 (B)Q₁飽和區，Q₂飽和區。 (C)Q₁三極管區，Q₂三極管區。 (D)Q₁三極管區，Q₂飽和區。

28. 接續第 26 題，如果操作在負載曲線 A 點右邊，下述何者正確？ (A)Q₁飽和區，Q₂三極管區。 (B)Q₁飽和區，Q₂飽和區。 (C)Q₁三極管區，Q₂三極管區。 (D)Q₁三極管區，Q₂飽和區。

29. 接續第 26 題，當放大器使用時，輸出電壓 vO為何？ (A)小於 VoA (B)大於 VoB (C)VoA與 VoB之間 (D)以上皆對。

30. 接續第 22 與 26 題，電晶體 Q₁當作開關使用，下述何者正確？ (A)操作在負載曲線 A 點與 B 點之間。 (B)操作在負載曲線 V_DD點。 (C)操作在負載曲線 A 點右邊，或負載曲線 B 點左邊。 (D)以上皆對。

31. 屬於何種形式？ (A)低通 (B)高通 (C)帶通 (D)帶拒。

32. 接續第 31 題，濾波器階數為何？ (A)4 (B)3 (C)2 (D)1。

33. 接續第 31 題，直流電壓增益為何？ (A)0 (B) − (C) (D) − 。

34. 接續第 31 題，高頻電壓增益為何？ (A)0 (B) − (C) (D) − 。

35. 接續第 31 題，3dB 角頻率為何？ (A)− (B)− (C)+ (D) + 。

36. Z₁表示式為何？ (A) + (B)− (C)+ (D)− 。

37. 接續第 36 題，Z₂表示式為何？ (A)+ (B)+ (C)− (D)− 。

38. 下圖所示放大器電路，存在寄生電容 C_gs、C_gd、C_ds，這些電容最主要影響放大器哪一項特性？ (A)低頻增益 (B)電流 (C)電壓 (D)操作頻寬。

39. 請問 C_X為何? (A)1010C_gd (B)101C_gd (C)10.1C_gd (D)1.01C_gd 。

40. 接續第 39 題，有關放大器頻率響應，輸入端的寄生電容與電阻會產生何項？ (A)零點 (B)原點 (C)極點 (D)無窮遠點。

41. 接續第 39 題，當電阻值 Rsig大，輸出端電容小，密勒定理(Millier’s theorem)可以用來計算放大器頻寬，請問頻寬為何？ (A) (B) (C) (D)

42. 接續第 41 題，密勒定理(Millier’s theorem)計算的放大器頻寬，位在下圖那一轉折點？ (A)轉折點 1 (B)轉折點 2 (C)轉折點 3 (D)無窮遠處。

43. 下圖所示下拉式數位邏輯網路，輸出 X 與輸入 C、D 的布林代數式為何？

(A) (B) (C) (D) 。

44. 下圖所示下拉式數位邏輯網路，輸出 X 與輸入 C、D 的布林代數式為何？ (A) (B) (C) (D) 。

45. 下圖所示下拉式數位邏輯網路，輸出 X 與輸入 C、D、E 的布林代數式為何？ (A) (B) (C) (D)。

46. 屬於哪一種？ (A)哈特萊(Hartley oscillator) (B)考畢子(Colpitts oscillator) (C)環型 (D)石英振盪器。

47. 接續第 46 題，振盪頻率 f_o為？ (A) (B) (C) (D) 。

48. 接續第 46 題，有關振盪器回授網路，下述何者正確？ (A)負回授 (B)正回授 (C)增益大於一 (D)品質因素小，較易振盪。

49. 屬於何種形式？ (A)class C (B)class AB (C)class A (D) class B。

50. 接續第 49 題，使用電晶體 Q₁、Q₂目的為何？ (A)增加電晶體 Q_N、Q_P導通時間 (B)降低電流消耗 (C)靜電保護 (D)降低操作電壓 V_CC 。

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