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108年 - 10808 臺北捷運:電子學概要#79631
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18. 接續第 16 題,(W/L)
2
為(W/L)
1
6 倍,電流 I
D2
為 I
D1
幾倍?
(A)2
(B)4
(C)6
(D)8 .
答案:
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統計:
A(2), B(1), C(23), D(0), E(0) #2079180
詳解 (共 2 筆)
Wu_2383
B2 · 2020/03/19
#3835109
(W/L)2為(W/L)1 6 倍,修改...
(共 43 字,隱藏中)
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1
0
朱冠亘
B1 · 2019/11/17
#3672634
ID=K(VGS-VT)^2K變6倍ID...
(共 25 字,隱藏中)
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0
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相關試題
19. 此原因為何? (A)基底效應 (B)通道調變效應 (C)霍爾效應 (D)熱跑脫效應。
#2079181
20. 接續第 19 題,操作在飽和區,描述電流 ID2對應電壓 VDS2效應,可 以用電壓-VA表示,有關-VA說明,何者正確? (A)-VA值越小,電流 ID2變化較小。 (B)-VA值越小,電流 ID2變化較大。 (C)-VA值越小,電壓 VDS2變化較小。 (D)-VA值越小,電壓 VDS2變化較大。
#2079182
21. 接續第 19 題,操作在飽和區,如何降低電流 ID2對應電壓 VDS2之變 化? (A)增加 VGS2-Vt (B)選用通道寬度較寬的電晶體。 (C)選用通道寬度較窄的電晶體。 (D)選用通道長度較長的電晶體。
#2079183
22. 有關負載敘述,何者正確? (A)無負載 (B)主動負載 (C)被動負載 (D)電阻負載
#2079184
23. 接續第 22 題,有關電晶體 Q2的敘述,何者錯誤? (A)汲極端(drain)看入之小信號電阻為 ro2。 (B)當作電流源,提供定電流。 (C)汲極端(drain)看入之小信號電阻為 1/gm2。 (D)增強型電晶體。
#2079185
24. 接續第 22 題,電晶體操作區域,何者正確? (A)Q1三極管區,Q2三極管區。 (B)Q1飽和區,Q2三極管區。 (C)Q1飽和區,Q2飽和區。 (D)Q1主動區,Q2主動區。
#2079186
25. 接續第 22 題,放大器增益(vo/vi)為何? (A)gm1(ro1//ro2) (B)gm1ro1+gm1ro2 (C)gm1ro1 (D)gm1ro2。
#2079187
26. 接續第 22 題,下圖所示為輸出電壓 vO對應電流 iD1的曲線圖, 如果操作在負載曲線 B 點左邊,下述何者正確? (A)Q1飽和區,Q2三極管區。 (B)Q1飽和區,Q2飽和區。 (C)Q1三極管區,Q2三極管區。 (D)Q1三極管區,Q2飽和區。
#2079188
27. 接續第 26 題,如果操作在負載曲線 A 點與 B 點之間,下述何者正 確? (A)Q1飽和區,Q2三極管區。 (B)Q1飽和區,Q2飽和區。 (C)Q1三極管區,Q2三極管區。 (D)Q1三極管區,Q2飽和區。
#2079189
28. 接續第 26 題,如果操作在負載曲線 A 點右邊,下述何者正確? (A)Q1飽和區,Q2三極管區。 (B)Q1飽和區,Q2飽和區。 (C)Q1三極管區,Q2三極管區。 (D)Q1三極管區,Q2飽和區。
#2079190
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