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捷運◆電子學概要
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108年 - 10808 臺北捷運:電子學概要#79631
> 試題詳解
18. 接續第 16 題,(W/L)
2
為(W/L)
1
6 倍,電流 I
D2
為 I
D1
幾倍?
(A)2
(B)4
(C)6
(D)8 .
答案:
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統計:
A(2), B(1), C(22), D(0), E(0) #2079180
詳解 (共 2 筆)
Wu_2383
B2 · 2020/03/19
#3835109
(W/L)2為(W/L)1 6 倍,修改...
(共 43 字,隱藏中)
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1
0
朱冠亘
B1 · 2019/11/17
#3672634
ID=K(VGS-VT)^2K變6倍ID...
(共 25 字,隱藏中)
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其他試題
14. 週邊放置電子原件 Z1,其用途為何? (A)溫度保護 (B)濕度保護 (C)防撞防護 (D)靜電防護。
#2079176
15. 接續第 14 題,元件 Z1何項敘述錯誤? (A)需符合人體模型(HBM)測試 (B)啟動時,通過低電流 (C)低動態電 阻 (D)低電容量。
#2079177
16. 輸出電壓 Vout最低需滿足何條件? (A)Q2在飽和區 (B)Q2在主動區 (C)Q2在三極管區 (D)Q2在截止區。
#2079178
17. 接續第 16 題,輸出電壓 Vout最低為何? (A)Vds2+Vt (B)Vgs2+Vt (C)Vgs2-Vt (D)Vds2-Vt。
#2079179
19. 此原因為何? (A)基底效應 (B)通道調變效應 (C)霍爾效應 (D)熱跑脫效應。
#2079181
20. 接續第 19 題,操作在飽和區,描述電流 ID2對應電壓 VDS2效應,可 以用電壓-VA表示,有關-VA說明,何者正確? (A)-VA值越小,電流 ID2變化較小。 (B)-VA值越小,電流 ID2變化較大。 (C)-VA值越小,電壓 VDS2變化較小。 (D)-VA值越小,電壓 VDS2變化較大。
#2079182
21. 接續第 19 題,操作在飽和區,如何降低電流 ID2對應電壓 VDS2之變 化? (A)增加 VGS2-Vt (B)選用通道寬度較寬的電晶體。 (C)選用通道寬度較窄的電晶體。 (D)選用通道長度較長的電晶體。
#2079183
22. 有關負載敘述,何者正確? (A)無負載 (B)主動負載 (C)被動負載 (D)電阻負載
#2079184
23. 接續第 22 題,有關電晶體 Q2的敘述,何者錯誤? (A)汲極端(drain)看入之小信號電阻為 ro2。 (B)當作電流源,提供定電流。 (C)汲極端(drain)看入之小信號電阻為 1/gm2。 (D)增強型電晶體。
#2079185
24. 接續第 22 題,電晶體操作區域,何者正確? (A)Q1三極管區,Q2三極管區。 (B)Q1飽和區,Q2三極管區。 (C)Q1飽和區,Q2飽和區。 (D)Q1主動區,Q2主動區。
#2079186