所屬科目:捷運◆電子學概要
1. 如圖所示電路,二極體皆為理想二極體,試求輸出電壓 Vo 為何? (A) –4 V (B) –2 V (C) 4 V (D) 8 V。
2. 如圖所示電路,若二極體 D1、D2 之切入電壓皆為 0.7V,試問電流 I 約為何?(A) 8.33 mA (B) 6.33 mA (C) 4.33 mA (D) 2.33 mA。
3. 如圖所示為半波整流濾波電路,二極體為理想二極體,若輸入電源電壓Vi (t )=100sin 314t V。試求電容 C 值應為多少,才能使輸出漣波 電壓峰對峰值為 2V? (A) 300 μF (B) 200 μF (C) 100 μF (D) 50 μF。
4. 如圖所示之理想運算放大器電路,試求輸出電壓 Vo 為何? (A) – 2.5 V (B) –0.75 V (C) 2.75 V (D) 5.5 V。
5. 如圖所示之理想運算放大器電路,試問下列敘述何者錯誤? (A) 若 vi 為 10V 時,綠光 LED 不發亮 (B) 電路中之運算放大器做為比較器使用 (C) 若vi為 4V 時,紅光 LED 發亮 (D) 若vi為 12sinV (ωt ) ,則紅光 LED 及綠光 LED 交互閃爍且綠光 LED 亮的時間較紅光 LED 長。
6. 如圖所示之理想運算放大器電路,試問電壓增益之值為何?(A) – 42 (B) – 52 (C) – 62 (D) – 72。
7. 如圖所示為一具高頻補償之實際微分電路,試問低頻截止頻率 fL 約為何值?(A) 1.6 HZ (B) 3.2 HZ (C) 16HZ (D) 32 HZ。
8. 如圖所示之理想運算放大器電路,試求輸出電壓Vo為何?(A)-$\frac{4}{3}$ V (B)-$\frac{1}{2}$ V(C)$\frac{1}{2}$ V(D)$\frac{4}{3}$ V
9. 如圖所示為電晶體(BJT)直流偏壓電路及其直流負載線。若在不影響直流負載線斜率的情況下,原工作點在 Q1位置,欲修正工作點至 Q2 位置,則應如何調整? (A) 減少 RB (B) 增加 RB (C) 減少 RC (D) 增加 RC。
10. 如圖所示為 MOSFET 元件之結構,若此元件為增強型 N 通道 MOSFET,則圖中甲區與乙區分別為何種型式半導體? 若要形成通道,VGS之條件為何? (其中臨界電壓為 VT )
(A) 甲區為 n +型,乙區為 N 型,VGS > VT (B) 甲區為 p +型,乙區為 N 型,VGS < VT (C) 甲區為 n +型,乙區為 P 型,VGS < VT (D) 甲區為 n +型,乙區為 P 型,VGS > VT。
11. 如圖所示為空乏型 MOSFET,若夾止電壓VP為 +4V,試問下圖中之工作區為何?(A) 截止區 (B) 歐姆區 (C) 飽和區 (D) 以上皆非。
12. 有一差動放大器之共模拒斥比 CMRR 為 40dB,其兩輸入電壓分別為 Vi1 = 65μV,Vi2 = 45μV,若差模增益 Ad為 50。試問該差動放大 器之輸出電壓 Vo 為何? (A) 927.5 μ V (B) 1027.5 μ V (C) 1127.5 μ V (D) 1227.5 μ V。
13. 有關直接耦合串級放大電路,下列何者最具代表之頻率響應曲線?(A)(B)(C)(D)
14. 下列有關影響頻率響應之因素,何者錯誤? (A) 極際電容影響高頻響應 (B) 交連電容影響高頻響應 (C) 旁路電容影響低頻響應 (D) 雜散電容主要影響高頻響應。
15. 如圖所示為 A 類電阻功率放大器,若 VCC =12V、RL 為 50Ω,則此功率放大器最大交流輸出功率 Po(max) 為何? (A) 0.36 W (B) 0.54 W (C) 0.86 W (D) 1W。
16. 如圖所示為某功率放大器之輸入信號vi與輸出信號vo的波形,試問此功率放大器是屬於哪一種類型? (A) A 類 (B) B 類 (C) AB 類 (D) C 類 功率放大器。
17. 如圖所示為一主動濾波器電路,試問該圖為哪一種類型之濾波器?
(A) 帶通濾波器(B) 高通濾波器(C) 帶拒濾波器(D) 低通濾波器。
18. 如圖所示電路,試問低頻截止頻率fL 約為何值? (A) 0.16 HZ (B) 16 HZ (C) 160 HZ (D) 1.6 kHZ。
19. 某一信號分析後得知含有 160 HZ、2350 HZ及 31570 HZ三種頻率,若要使用下圖之電路濾除 31570 HZ之信號且保有較大的頻寬時,下列哪一組 RC 較為適合?(A) R = 100kΩ,C = 0.01μF (B) R = 10kΩ,C = 0.001μF(C) R = 10kΩ,C = 0.01μF (D) R = 1kΩ,C = 0.001μF。
20. 如圖所示為一主動濾波器電路,已知 OPA 具理想特性,當輸入頻率為 1.59 kHZ時,其電壓增益 AvT (dB) 約為何值? ( log 2=0.3 、 log10= 1)(A) 46 dB (B) 26 dB (C) 3 dB (D) 0 dB。
21. 才能使該電路維持振盪? (A) 10kΩ (B) 20kΩ (C) 30kΩ (D) 40kΩ。
22. 續上題電路,試問其振盪頻率約為何?(A) 13 HZ (B) 33 HZ (C) 53 HZ (D) 73HZ。
23. 如圖所示為史密特波形整形電路,若R1 = 5kΩ 、 R2 =10k ,參考電壓 VR =1.5V、遲滯電壓 VH 為 12V,試問下臨界電壓 VL 為何值?
(A) – 12 V (B) – 9 V (C) – 5 V (D) – 2 V。
24. 如圖所示之理想運算放大器,若 OPA 的飽和輸出電壓為±12 V,試求輸出電壓Vo為何? (A) – 12 V (B) – 9 V (C) +6 V (D) + 12 V。
25. 如圖所示為石英晶體等效電路,若串聯諧振頻率為 $f_s$、並聯諧振頻率為 $f_p$,試問 $\frac{f_s}{f_p}$ 為何?(A) $\sqrt{1 + \frac{C_s}{C_p}}$(B) $\frac{C_s}{C_p}$(C) $\frac{C_p}{C_s}$(D) $\sqrt{\frac{C_p}{C_s + C_p}}$
26. 如圖所示邏輯閘電路,若 C 輸入恆為 1,則該邏輯電路恆等於哪一種邏輯閘? (A) OR 閘 (B) NAND 閘 (C) NOR 閘 (D) AND 閘。
27. 如圖所示之邏輯閘電路,試問此邏輯閘為何種閘?(A) 反閘(NOT GATE) (B) 及閘(AND GATE)(C) 或閘(OR GATE) (D) 互斥或閘(XOR GATE)。
28. 如圖所示之邏輯閘電路,下列何者為該邏輯閘電路之真值表?(A)(B)(C)(D)
29. 如圖所示之邏輯閘電路,下列何者為該邏輯閘電路之真值表?(A)(B)(C)(D)。
30. 如圖所示之邏輯閘電路,試問輸出 Y 為何?(A) (B)(C)(D)。
31. 如圖所示之邏輯閘電路,試問輸出 Y 為何?(A) $\overline{A} \cdot B + A \cdot \overline{B}$(B) $A \cdot B + \overline{A} \cdot \overline{B}$(C) $\overline{A} + \overline{B}$(D) A + B
32. 如圖所示之邏輯閘電路,若脈波輸入圖中電路後,輸出結果 Y 為何?(A) 00011000 (B) 11111011 (C) 11001100 (D) 00111100。
33. 如表所示為某邏輯閘電路輸入與輸出之真值表,試問輸出 Y 之布林代數最簡式為何?(A)(B)(C)(D)。
34. 如圖所示電路,當輸入 A、B 之值為何,可使紅光 LED 發亮? (A) A = 0 、B = 0 (B) A = 0 、B =1 (C) A =1、B = 0 (D) A =1、 B =1。
35. 如圖所示之邏輯閘電路,試問此邏輯閘為何種閘?(A) OR 閘 (B) XOR 閘 (C) XNOR 閘 (D) NAND 閘。
36. 如圖所示之邏輯閘電路,其功能相當於哪一個邏輯閘?(A) NOR 閘 (B) NAND 閘 (C) OR 閘 (D) AND 閘。
37. 下列哪一種邏輯閘表示圖為正確的? (A) (B) (C)(D)
38. 如圖所示之真值表,若 A 與 B 代表輸入,Y 表示輸出,則下列哪一組為反或閘之真值表?(A)(B)(C)(D)
39. 如圖所示之邏輯閘電路,試問此邏輯閘為何種閘?(A) OR 閘 (B) XOR 閘 (C) XNOR 閘 (D) NAND 閘。
40. 如圖所示為虛擬 NMOS 數位電路,試問該電路的輸出 Y 為何? (A) (B)(C) Y=A+B (D) 。
41. 如圖所示為虛擬 NMOS 數位電路,試問該電路的輸出 Y 為何?
(A)Y=A+B (B) (C) (D) Y=A•B 。
42. 如圖所示為虛擬 NMOS 數位電路,試問此邏輯閘為何種閘?(A) AND 閘 (B) NOR 閘 (C) OR 閘 (D) NAND 閘。
43. 如圖所示之數位電路,試問該電路所實現的邏輯閘功能為何? (A) 及閘 (B) 反或閘 (C) 緩衝閘 (D) 反及閘。
44. 如圖所示為虛擬 NMOS 數位電路,試問該電路所實現的邏輯閘功能為何?(A) 反及閘 (B) 反或閘 (C) 互斥或閘 (D) 互斥反或閘。
45. 如圖所示之 CMOS 數位電路,試問該電路的輸出 Y 為何? (A)(B) Y=A•B (C) Y= A+B (D)。
46. 如圖所示為空乏型負載反相器電路,若 VDD = +5V ,假設 MOSFET 的臨界電壓分別為 VT1 =1V、 VT2= −1V , K1 = 0.5mA/V2 、 K2 = 0.5mA/V2。試問當輸入電壓 Vi 為 0.5V 時,其輸出電壓 Vo 為何?
(A) – 5 V (B) 0 V (C) 4 V (D) 5 V。
47. 如圖所示之數位電路,試問該電路之輸出 Y 為何? (A) (B) (C) (D) 。
48. 如圖所示之數位電路,試問該電路之輸出Y為何?
(A)(B)(C)(D)。
49. 如圖所示電路,試問下列何者非主動式負載 NMOS 反相器?(A) (B)(C)(D)
50. 如圖所示之數位電路,試問該電路之輸出F為何?(A)(B)(C)F = 0(D)F =1。