111年 - 111 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#109447

一、圖一(a)中放大器 A、B 與加法器均為線性電路，輸入阻抗= ∞輸出阻抗= 0。 A 與 B 之輸入電壓弦波 ，輸出分別為與，相加得振幅 3 √2 之 。 求算 B 之放大倍率 以及相對於訊號之相位角。

二、二極體 I-V 特性曲線如圖二(a)，求算圖二(b)電路消耗於二極體 D 與電阻 R 的時平均功率， = 5 sin ωt V， = 1.8 V，R = 20Ω。

三、矽晶的原子密度為，電子本質濃度 ，此矽晶摻雜硼（三價元素） ，濃度為 1/108。圓柱體矽晶樣本長度 L，截面積為 A = 1 cm²，兩端施加電壓 V，則其內部電場為 E = V/L。樣本中之電洞與電子受此電場作用而獲得移動速度分別為與，其中 與 稱為遷移率（cm²/V‧s） 。純質矽晶 = 475 與 = 1400，摻雜質之矽晶 = 375 與 = 1000。電量為 Q 的帶電粒子在△t 時間移動距離△x，其速度為 v = △x/△t，電流量 I = Q/△t。單一電子帶電量 q = 1.6 × 10庫侖。 求算此純質矽晶與摻雜硼之矽晶每單位長度電阻值，註明單位。

四、圖三運算放大器的輸入電阻 = 100 kΩ，輸出電阻 = 50 Ω，低頻開路電壓增益 = 10³ V/V，頻率響應有一個極點 = 50 Hz。畫出此運算放大器的等效電路並標出所有元件數值，再求算圖三電路的低頻電壓增益與其 3-dB 頻寬。

(一)當 含有雜訊電流△i，求算 ，註明單位。

(二)為理想電流源，求算電壓增益 與。