申論題

三、矽晶的原子密度為，電子本質濃度 ，此矽晶摻雜硼（三價元素） ，濃度為 1/108。圓柱體矽晶樣本長度 L，截面積為 A = 1 cm²，兩端施加電壓 V，則其內部電場為 E = V/L。樣本中之電洞與電子受此電場作用而獲得移動速度分別為與，其中 與 稱為遷移率（cm²/V‧s） 。純質矽晶 = 475 與 = 1400，摻雜質之矽晶 = 375 與 = 1000。電量為 Q 的帶電粒子在△t 時間移動距離△x，其速度為 v = △x/△t，電流量 I = Q/△t。單一電子帶電量 q = 1.6 × 10庫侖。 求算此純質矽晶與摻雜硼之矽晶每單位長度電阻值，註明單位。